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CSD19534KCS

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采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 16.5 VGSTH typ (typ) (V) 2.8 QG (typ) (nC) 16.4 QGD (typ) (nC) 3.3 QGS (typ) (nC) 5.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 54 ID - package limited (A) 100 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 16.5 VGSTH typ (typ) (V) 2.8 QG (typ) (nC) 16.4 QGD (typ) (nC) 3.3 QGS (typ) (nC) 5.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 54 ID - package limited (A) 100 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
TO-220 (KCS) 3 46.228 mm² 10.16 x 4.55
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 具有雪崩能力
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • TO-220 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 具有雪崩能力
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • TO-220 塑料封装

这款 100V、13.7mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

这款 100V、13.7mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
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