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25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 16 mOhm

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产品详细信息

参数

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 16 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 11 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 91 QG typ (nC) 2.9 QGD typ (nC) 0.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 16 VGSTH typ (V) 2 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 52 ID - package limited (A) 52 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5mm × 6mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in
      Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

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描述

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
149
说明

bq28z610 EVM 评估模块 (EVM) 是适用于 bq28z610/bq294502 电池管理系统的完整评估系统。此 EVM 包含一个 bq28z610 电路模块、一个电流感应电阻器、一个热敏电阻以及指向基于 WindowsTM 的 PC 软件。此电路模块包含一个 bq28z610 集成电路 (IC)、一个 bq294502 IC，还包含监控和预测容量、在充电或静置时执行电池平衡、监控关键参数、防止 1 或 2 节锂离子或锂聚合物电池组中出现过充、过放电、短路和过电流所需的所有其他板载组件。该电路模块直接与电池组中的电池相连。借助使用 I2C 的 EV2300 接口板和软件，用户可以读取 bq28z610 数据寄存器、对适用于不同数据包配置的芯片组进行编程、记录循环数据以便进一步评估，并对 bq28z610/bq294502 解决方案在不同充电和放电条件下的整体功能进行评估。

特性
  • 适用于 bq28z610 高级电量监测计的完整评估系统，采用 Impedance Track 技术且具有 bq294502 独立过压保护 IC
  • 已组装的电路模块，便于快速设置
查看详细信息
评估板 下载
document-generic 用户指南
149
说明

bq78z100EVM-532 评估模块 (EVM) 是一款适用于 bq78z100 或 bq294502 电池管理系统的完整评估系统。此 EVM 包含一个 bq78z100 和 bq294502 电路模块以及指向基于 Windows™ 的 PC 软件的链接。该电路模块包含一个 bq78z100 集成电路 (IC)、一个 (...)

特性
  • 适用于 bq78z100EVM 1s-2s 电池组管理器评估模块和 bq294502 独立过压保护 IC 的完整评估系统
  • 已组装的电路模块，便于快速设置
  • 通过软件记录数据，便于进行系统分析
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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLLM113A.ZIP (8 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
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  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗
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  • Calculates power loss for TI MOSFETs
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MOSFET power loss calculator for synchronous buck converter applications
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
特性
  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗
查看详细信息
计算工具 下载
SPLR002.ZIP (734 KB)

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CAD/CAE 符号

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订购与质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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