产品详情

VGS (V) 10 VDS (V) 30 Power loss (W) 3.3 Ploss current (A) 25 ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) 40 Operating temperature range (C) -55 to 150 Duty cycle (%) High Features Motor control, Power supply
VGS (V) 10 VDS (V) 30 Power loss (W) 3.3 Ploss current (A) 25 ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) 40 Operating temperature range (C) -55 to 150 Duty cycle (%) High Features Motor control, Power supply
  • 输入电压高达 27V
  • 半桥电源块
  • 25A 电流时系统效率为 95%
  • 工作电流高达 40A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
  • 输入电压高达 27V
  • 半桥电源块
  • 25A 电流时系统效率为 95%
  • 工作电流高达 40A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层

CSD87353Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。

CSD87353Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。

下载

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
CSD87350Q5D 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 Alternate higher power loss

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 11
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD87353Q5D 同步降压 NexFET™ 电源块 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.D) PDF | HTML 2017年 5月 8日
应用手册 MOSFET Support and Training Tools (Rev. A) PDF | HTML 2022年 11月 4日
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技术文章 How to choose the right power MOSFET or power block package for your application 2019年 10月 29日
技术文章 Discrete FETs vs. power blocks - how to choose the right SOA for your design 2019年 6月 6日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 2018年 8月 24日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日
应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

仿真模型

CSD87353Q5D Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM027B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计

PMP20516 — 5V 45A 双相同步降压转换器参考设计

这是一款在双相拓扑中使用 TPS40322 的同步降压参考设计。它专用于 12V 标称输入电压并输出 5V 的电压,能够在两个相位上提供高达 45A 的合并电流并具有出色的电流共享功能。满载效率为 96.7%,从而提供出色的热性能以及纹波和瞬态性能。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP10594 — 效率高达 97% 的 125W 宽输入同步 4 开关降压/升压电池充电器参考设计

PMP10594 是一款采用 LM5175 控制器的同步 4 开关降压/升压转换器参考设计,适用于电池充电器应用。此设计可通过 PWM 信号在 7.1V 至 9.2V 范围内调节输出电压设定点。通过 I2C 编程可以独立控制平均输入电流和充电电流。满量程输入电流限制为 6A,而充电电流可编程为 12.5A。LM5175 平均电流环路将最大输出电流设定为 20A,在正常情况下应该涉及不到此最大输出电流。电流模式控制器内置额外的逐脉冲限流功能,使其成为非常强大的设计。如果电池电压低于 6V,则使用电池断开开关进行涓流充电。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-00448 — 具有增强型数字隔离器的灵活型高电流 IGBT 栅极驱动器参考设计

TIDA-00448 参考设计是带有双极性闸极电压的隔离式 IGBT 闸极驱动程序,旨在用于驱动所需高峰值闸极电流高达 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 电源块就在此范围内,具有相同的封装,能让单个设计用于具有不同额定功率的多驱动器平台。数字隔离器用于实现瞬态浪涌额定值为 8kV 且共模瞬变抗扰度 (CMTI) 为 50kV 的增强型隔离。该设计包含了使用快速瞬态响应比较器的 DESAT 保护。DESAT 检测阈值和软关闭时间都是可配置的。该设计可连接来自 3.3 V 和 5 V MCU 的 PWM,并同时连接故障、重置和 UVLO 反馈。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
(DQY) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频