CSD87353Q5D
- 输入电压高达 27V
- 半桥电源块
- 25A 电流时系统效率为 95%
- 工作电流高达 40A
- 高频工作（高达 1.5MHz）
- 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
CSD87353Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。
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设计和开发
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计算工具
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这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具
Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter
SLPR053.ZIP (909 KB)
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PMP10594 是一款采用 LM5175 控制器的同步 4 开关降压/升压转换器参考设计，适用于电池充电器应用。此设计可通过 PWM 信号在 7.1V 至 9.2V 范围内调节输出电压设定点。通过 I2C 编程可以独立控制平均输入电流和充电电流。满量程输入电流限制为 6A，而充电电流可编程为 12.5A。LM5175 平均电流环路将最大输出电流设定为 20A，在正常情况下应该涉及不到此最大输出电流。电流模式控制器内置额外的逐脉冲限流功能，使其成为非常强大的设计。如果电池电压低于 6V，则使用电池断开开关进行涓流充电。
参考设计
TIDA-00448 — 具有增强型数字隔离器的灵活型高电流 IGBT 栅极驱动器参考设计
TIDA-00448 参考设计是带有双极性闸极电压的隔离式 IGBT 闸极驱动程序，旨在用于驱动所需高峰值闸极电流高达 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 电源块就在此范围内，具有相同的封装，能让单个设计用于具有不同额定功率的多驱动器平台。数字隔离器用于实现瞬态浪涌额定值为 8kV 且共模瞬变抗扰度 (CMTI) 为 50kV 的增强型隔离。该设计包含了使用快速瞬态响应比较器的 DESAT 保护。DESAT 检测阈值和软关闭时间都是可配置的。该设计可连接来自 3.3 V 和 5 V MCU 的 PWM，并同时连接故障、重置和 UVLO 反馈。
| 封装 | 引脚数 | 下载 |
|---|---|---|
| (DQY) | 8 | 了解详情 |
订购和质量
包含信息：
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- 引脚镀层/焊球材料
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