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产品详细信息

参数

VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.3 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.2 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 44 QGD typ (nC) 6.9 Package (mm) TO-220 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 169 ID, package limited (A) 100 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

TO-220 (KCS) 3 88 mm² 10.15 x 15.4 open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

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描述

这款 60V,3.3mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD18532KCS 60V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. B) 下载英文版本 (Rev.B) 2015年 2月 6日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 2018年 6月 25日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
UCD3138PSFBEVM-027 评估模块
UCD3138PSFBEVM-027
document-generic 用户指南
$299.00
说明
This EVM, UCD3138PSFBEVM-027 is to help evaluate the UCD3138 64-pin digital control IC in an off-line power converter application and then to aid in its design. The EVM is a standalone phase-shifted full-bridge DC-DC power converter. The EVM is used together with its control card (...)
特性
  • Digitally controlled phase-shifted full-bridge DC-DC power conversion
  • DC line input from 350 to 400Vdc
  • Regulated output 12Vdc with output from no-load to full-load
  • Full-load power 360W, or full-load current 30A
  • High efficiency
  • Constant soft start time
  • Protection: over voltage, over current, and brownout
  • (...)

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM045A.ZIP (5 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
SLPC015.ZIP (66 KB)

参考设计

参考设计 下载
高效 400W 交流/直流电源参考设计
PMP11064 PMP11064 是具有通用交流输入和 20V/20A 输出的高效交流/直流电源参考设计。 此设计中为 20V/20A 主电源应用了交错转换模式 PFC 和 LLC 串联谐振转换器。此设计还将具有 MOSFET 集成控制器的 PSR 反激式电源应用为辅助电源。在低压线路中和满载时可实现 91.2% 的效率。在高压线路中和满载时可实现 93.1% 的效率。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
效率高达 98% 且适用于直流 UPS 的模拟 24V 至 36V 500W 备用电源和 50W 充电器参考设计
TIDA-01558 — 这款模拟双向电源转换参考设计具有 500W 放电或升压级以及 50W 充电或降压级。这一参考设计适用于 24V 电池组和 30V 至 38V 总线电压,可用于直流 UPS、电池备份单元 (BBU)、本地能量存储 (LES) 以及直流/直流砖型模块。此设计具有超过 98% 的放电效率和 95% 以上充电效率,优化了热管理并延长了电池备份时间。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本
参考设计 下载
高效 410W 交流/直流电源参考设计
PMP11282 PMP11282 是具有通用交流输入和 24V/17A 输出的高效交流/直流电源参考设计。此设计中为 24V/17A 主电源应用了交错转换模式 PFC 和 LLC 串联谐振转换器。此设计还将具有 MOSFET 集成控制器的 PSR 反激式电源应用为辅助电源。在低压线路中和满载时可实现 91.98% 的效率。在高压线路中和满载时可实现 94.61% 的效率。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
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新型高效率全桥整流器参考设计
TIDA-00858 TIDA-00858 实现了一种高效新颖的全桥整流器方法。此 TI 参考设计用四个 N 通道 MOSFET 取代二极管,在全桥整流器配置中与 LM74670-Q1 智能二极管控制器相结合。LM74670-Q1 解决方案是一种高效零 IQ 替代方案,用于替代有损耗的二极管。此设计可针对高达 45V 的交流输入电压产生整流直流电压,同时不产生二极管正向压降。这种基于 LM74670-Q1 解决方案的全桥整流器可处理频率为 300Hz 的交流输入和高达 100A 的输出电流,且与肖特基二极管整流器相比,热管理更加简单。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南
参考设计 下载
具有高侧/低侧驱动器的 360W 相移全桥谐振 LLC
TIDA-00381 该电源采用全桥谐振 LLC,在斜升、轻载、低输出电压时进行相移。这种运行模式可以替代 LLC 中的 PWM 运行模式,从而在轻载应用中显著提高效率。
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