主页 电源管理 MOSFET N 沟道 MOSFET
主页
电源管理
MOSFET
N 沟道 MOSFET

CSD87502Q2

正在供货

采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

立即订购
数据表

CSD87502Q2

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

VDS (V) 30 Configuration Dual Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 42 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 32.4 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 23 QG typ (nC) 2.2 QGD typ (nC) 0.5 QGS typ (nC) 1 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.6 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Dual Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 42 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 32.4 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 23 QG typ (nC) 2.2 QGD typ (nC) 0.5 QGS typ (nC) 1 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.6 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes
  • 低导通电阻
  • 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动器而优化
  • 雪崩级
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
  • 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
  • 电池保护

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 低导通电阻
  • 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动器而优化
  • 雪崩级
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
  • 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
  • 电池保护

All trademarks are the property of their respective owners.

CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET，采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源 应用。此外，这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型 应用。

CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET，采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源 应用。此外，这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型 应用。

open-in-new 查找其他 N 沟道 MOSFET
下载

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索，并重试。
查看全部 8
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD87502Q2 30V 双路 N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 PDF | HTML 下载英文版本 PDF | HTML 2016年 3月 9日
应用手册 MOSFET Support and Training Tools (Rev. A) PDF | HTML 2022年 11月 4日
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 2018年 8月 24日
应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

设计和开发

如需其他信息或资源，请查看下方列表，点击标题即可进入详情页面。

仿真模型

CSD87502Q2 Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B)

SLPM164B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
下载
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
下载
计算工具

Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

SLPR053.ZIP (909 KB)
下载
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
下载
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
下载
参考设计

TIDA-01587 — 效率大于 95% 且适用于无刷直流伺服驱动器的 10.8V/30W 4.3cm2 功率级参考设计

此 15W 16mm × 27mm 功率级参考设计用于驱动依靠三至四芯锂离子电池供电的无刷式直流 (BLDC) 电机并控制其位置。此解决方案经过优化，具有较高的效率和极小的外形尺寸，可轻松安装到电机中并实现精确的电机位置控制。另外，此设计还能高速驱动电机并提供位置反馈。此参考设计配备了过流和短路保护，且板载 MCU 可提供 UART 连接功能，从而允许通过任何外部控制器进行控制。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01238 — 具有可选终端的控制器局域网 (CAN) 参考设计

在总线通信技术中（如控制器局域网 (CAN) 和 RS-485），网络中的两个最远节点通常使用 120Ω 的终端电阻器端接，而其他节点保持不端接。该工艺需要硬件设计人员了解终端应用的布局，但情况并非总是如此，因为硬件设计人员未必是该产品的终端用户。TIDA-01238 记录和测试了两个单独电路，使终端在单独 CAN 节点实现可选，从而使得在任意节点布置终端成为可能。通过让任意节点能够成为终端节点，可选终端无需针对网络实施方案进行预设工作。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
(DQK) 6 了解详情

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频