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VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.9 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 48 QGD (typ) (nC) 8.7 QGS (typ) (nC) 13 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 140 ID - package limited (A) 100 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.9 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 48 QGD (typ) (nC) 8.7 QGS (typ) (nC) 13 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 140 ID - package limited (A) 100 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSON-CLIP (DNK) 8 3E+1 mm² 6 x 5
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

这款 100V、4mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

这款 100V、4mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

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应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
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应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计和开发

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评估板

BQ76942EVM — 3 节至 10 节串联锂离子、锂聚合物和磷酸铁锂电池监控器和保护器 EVM

BQ76942EVM 评估模块 (EVM) 是适用于 BQ76942(3 节至 10 节锂离子电池监测器集成电路)的完整评估系统。此 EVM 包含一个 BQ76942 电路模块,用于简单评估 BQ76942 监测器的功能。此电路模块包括一个 BQ76942 集成电路 (IC)、感应电阻、热敏电阻、功率 FET,还包括可防止在 10 节串联锂离子或锂聚合物电池组中出现电池过充、过放电、短路和过流放电、过热和低温所需的所有其他板载组件。此电路模块可直接与各节电池连接,也可以与电源和附带的电池仿真器电阻器连接。借助板载接口或兼容的外部接口板和基于 Microsoft® (...)

用户指南: PDF
下载英文版本 (Rev.A): PDF
TI.com 上无现货
评估板

DRV8353RH-EVM — DRV8353RH 三相无刷直流智能栅极驱动器评估模块

DRV8353RH-EVM 是基于 DRV8353RH 栅极驱动器和 CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET 的 15A 三相无刷直流驱动级。

该模块具有单独的直流总线和相电压感应以及单独的低侧电流分流放大器,因此该评估模块非常适合无传感器 BLDC 算法。该模块通过集成式 0.35A 降压转换器为 MCU 提供 3.3V 电源。该驱动级具有 IDRIVE 配置和故障引脚,并通过具有特定电阻值的易于配置的硬件接口提供短路、过热、击穿和欠压保护。

用户指南: PDF
评估板

DRV8353RS-EVM — DRV8353RS 三相无刷直流智能栅极驱动器评估模块

The DRV8353RS-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RS gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.

The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC (...)

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

CSD19532Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM230.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD19532Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM094A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

许多 TI 参考设计都包括 CSD19532Q5B

通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

封装 引脚数 下载
VSON-CLIP (DNK) 8 了解详情

订购和质量

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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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