返回页首

产品详细信息

参数

VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.9 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 48 QGD typ (nC) 8.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.6 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 140 ID, package limited (A) 100 Logic level No open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

All trademarks are the property of their respective owners.

open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

描述

这款 100V、4mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管
下载

技术文档

= 特色
未找到结果。请清除搜索,并重试。 查看所有 7
类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD19532Q5B 100V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. B) 下载英文版本 (Rev.B) 2017年 6月 13日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment 2018年 8月 24日
技术文章 How to select a MOSFET - Hot Swap 2018年 4月 6日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计与开发

有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。

硬件开发

评估板 下载
BQ76942EVM
BQ76942EVM
document-generic 用户指南
$249.00
说明
BQ76942EVM 评估模块 (EVM) 是适用于 BQ76942(3 节至 10 节锂离子电池监测器集成电路)的完整评估系统。此 EVM 包含一个 BQ76942 电路模块,用于简单评估 BQ76942 监测器的功能。此电路模块包括一个 BQ76942 集成电路 (IC)、感应电阻、功率 FET,还包括防止 10 节串联锂离子或锂聚合物电池组出现电池过充、过放电、短路和过流放电所需的所有其他板载组件。此电路模块可直接与各节电池连接,也可以与电源和附带的电池仿真器、电阻连接。借助板载接口或兼容的外部接口板和基于 Microsoft® Windows® 的 PC 图形用户界面 (GUI) 软件,用户可查看器件寄存器,调节保护限制和实现 FET 控制输出。
特性
  • 适用于 BQ76942 3 节至 10 节锂离子和磷酸盐电池监测器的完整评估系统
  • 适用于 10 节配置的已组装电路模块,可快速设置
  • 可使用附带的 USB 接口适配器或 4 引脚连接器进行通信
  • 电阻、电池仿真器仅使用单电源即可运行
  • 此电路模块已经过测试,并包含固件、GUI、演示和入门指南。
评估板 下载
document-generic 用户指南
说明

DRV8353RH-EVM 是基于 DRV8353RH 栅极驱动器和 CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET 的 15A 三相无刷直流驱动级。

该模块具有单独的直流总线和相电压感应以及单独的低侧电流分流放大器,因此该评估模块非常适合无传感器 BLDC 算法。该模块通过集成式 0.35A 降压转换器为 MCU 提供 3.3V 电源。该驱动级具有 IDRIVE 配置和故障引脚,并通过具有特定电阻值的易于配置的硬件接口提供短路、过热、击穿和欠压保护。

特性
  • 9 至 95V 工作电压
  • 15A 连续/20A 峰值 H 桥输出电流
  • 内部降压稳压器
  • 三个单独的内部低侧电流分流放大器
  • 提供 INSTASPIN FOC 固件
评估板 下载
document-generic 用户指南
$99.00
说明

The DRV8353RS-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RS gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.

The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC (...)

特性
  • 9- to 95-V operation
  • 15 A continuous / 20 A peak H-bridge output current
  • Internal buck regulator
  • Three individual, internal low-side current shunt amplifiers
  • INSTASPIN FOC firmware available

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM094A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM230.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
SLPC015.ZIP (66 KB)

参考设计

很多TI参考设计会包含 CSD19532Q5B 。 通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DNK) 8 了解详情

订购与质量

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供,并不构成 TI 规范。参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持