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CSD19532Q5B

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.9 VGSTH typ (typ) (V) 2.6 QG (typ) (nC) 48 QGD (typ) (nC) 8.7 QGS (typ) (nC) 13 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 140 ID - package limited (A) 100 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.9 VGSTH typ (typ) (V) 2.6 QG (typ) (nC) 48 QGD (typ) (nC) 8.7 QGS (typ) (nC) 13 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 140 ID - package limited (A) 100 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DNK) 8 30 mm² 6 x 5
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

这款 100V、4mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

这款 100V、4mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

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应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 英语版 2015年 5月 12日

设计与开发

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评估板

BQ76942EVM — 3 节至 10 节串联锂离子、锂聚合物和磷酸铁锂电池监控器和保护器 EVM

BQ76942EVM 评估模块 (EVM) 是适用于 BQ76942 3 节至 10 节锂离子电池监测器集成电路的完整评估系统。此 EVM 包含一个 BQ76942 电路模块,用于简单评估 BQ76942 监测器的功能。此电路模块包括一个 BQ76942 集成电路 (IC)、感应电阻、热敏电阻、功率 FET,还包括可防止在 10 节串联锂离子或锂聚合物电池组中出现电池过充、过放电、短路和过流放电、过热和低温所需的所有其他板载组件。该电路模块可直接与各节电池相连,也可与电源和附带的电池仿真器电阻器相连。借助板载接口或兼容的外部接口板和基于 Microsoft® Windows® 的 PC (...)

用户指南: PDF
英语版 (Rev.A): PDF
TI.com 上无现货
评估板

DRV8353RH-EVM — DRV8353RH 三相无刷直流智能栅极驱动器评估模块

DRV8353RH-EVM 是基于 DRV8353RH 栅极驱动器和 CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET 的 15A 三相无刷直流驱动级。

该模块具有单独的直流母线和相电压感应以及单独的低侧电流分流放大器,因此该评估模块非常适合无传感器 BLDC 算法。  该模块借助集成式 0.35A 降压稳压器为 MCU 提供 3.3V 电源。  驱动级具有 IDRIVE 配置、故障引脚,以及通过易于配置的硬件接口(由特定电阻值组成)实现的短路、热、交叉导通和欠压等条件的保护功能。

用户指南: PDF
评估板

DRV8353RS-EVM — DRV8353RS 三相无刷直流智能栅极驱动器评估模块 

DRV8353RS-EVM 是基于 DRV8353RS 栅极驱动器和 CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET 的 15A 三相无刷直流驱动级。

该模块具有单独的直流母线和相电压感应以及单独的低侧电流分流放大器,因此该评估模块非常适合无传感器 BLDC 算法。  该模块借助集成式 0.35A 降压稳压器为 MCU 提供 3.3V 电源。  该驱动级具有 IDRIVE 配置和故障引脚,还可以通过可配置 SPI 防止出现短路、过热,击穿和欠压等状况。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

仿真模型

CSD19532Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM230.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD19532Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM094A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
计算工具

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive

This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

计算工具

SLPR053 Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for synchronous boost converter applications.

支持的产品和硬件

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计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

许多 TI 参考设计都包括 CSD19532Q5B

通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSON-CLIP (DNK) 8 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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