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VDS (V) 60 Configuration Dual Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 28 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 46 QG typ (nC) 14 QGD typ (nC) 2.3 QGS typ (nC) 4.6 Package (mm) SO-8 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 11.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No
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SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 用于电机控制的半桥
  • 同步降压转换器

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 用于电机控制的半桥
  • 同步降压转换器

这款双路小外形尺寸 (SO)-8,60V,23mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计运行为低电流电机控制应用中的半桥。

顶视图 RθJA = 60°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%

这款双路小外形尺寸 (SO)-8,60V,23mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计运行为低电流电机控制应用中的半桥。

顶视图 RθJA = 60°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%

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