CSD88539ND
- 超低 Qg 和 Qgd
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用范围
- 用于电机控制的半桥
- 同步降压转换器
这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，23mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计运行为低电流电机控制应用中的半桥。
顶视图 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%您可能感兴趣的相似产品
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技术文档
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设计和开发
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| 封装 | 引脚数 | 下载 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | 了解详情 |
订购和质量
包含信息：
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- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
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- 认证摘要
- 持续可靠性监测
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