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CSD22202W15

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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、12.2mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 12.2 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 17.4 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 6.5 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 10 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 12.2 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 17.4 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 6.5 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 10 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm² 1.75 x 1.75
  • 低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位

应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护
  • 负载开关应用

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位

应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护
  • 负载开关应用

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此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

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更多文献资料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
应用手册 AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日

设计与开发

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支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

仿真模型

CSD22202W15 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM141B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
DSBGA (YZF) 9 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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