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产品详细信息

参数

VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.3 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.2 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 41 QGD typ (nC) 6.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.9 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 221 ID, package limited (A) 100 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

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描述

此 1.8mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗 并且采用了 5mm × 6mm SON 封装。

中的封装尺寸拼写错误

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD18540Q5B 60V、N 通道 NexFET功率 MOSFET 数据表 (Rev. B) 下载英文版本 (Rev.B) 2017年 5月 9日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment 2018年 8月 24日
技术文章 How to select a MOSFET - Hot Swap 2018年 4月 6日
技术文章 Designing for rapid dual-axis motor control development 2016年 2月 23日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南 document-generic 下载最新的英文版本 (Rev.H)
$79.00
说明

BOOSTXL-DRV8305EVM 是基于 DRV8305 电机栅极驱动器和 CSD18540Q5B NexFET™ 功率 MOSFET 的 15A 三相无刷直流驱动级。该模块具有独立的直流总线和相位电压感应以及用于无传感器 BLDC 算法的独立低侧电流分流感应。该模块通过 LMR16006 0.6A (...)

特性
  • 4.4V 至 45V 电压电源输入
  • 支持最大峰值 20A 的 15A 连续电流输出
  • 为 BLDC 无传感器控制解决方案提供相位电压和电流反馈
  • 超小型(2.0 x 2.2 英寸)完整无刷直流驱动级
  • 驱动级受到全面保护,包括短路、过热、击穿和欠压保护
评估板 下载
document-generic 用户指南
$149.00
说明
The bq40z80 EVM includes one bq40z80, two bq771807 secondary protectors, and a link to Microsoft Windows based PC software, which can be used to monitor and predict capacity, perform cell balancing, monitor critical parameters, protect the cells from overcharge, over-discharge, short circuit, and (...)
特性
  • 2s-7s battery gauging with protection
  • Supports internal and external cell balancing
  • Multiple GPIOs and LED support
  • Protection features include:
    • Oover and under voltage
    • Short circuit in charge and discharge
    • Charge and pre-charge timeout
    • Over and under temperaure
评估板 下载
document-generic 用户指南
$49.00
说明

DRV8704 评估模块 (EVM) 展现了德州仪器 (TI) DRV8704 集成电路的集成电流调节功能和性能。此 EVM 采用 DRV8704 来控制两个刷式电机,一个跳线连接方案来传输 DRV8704 输入,一个 TLC555CD 来提供可变板载 PWM 信号,以及两个 10x1 100 mil 接头来选择性对接至任何 MSP430 Launchpad 从而读/写 SPI 命令和提供驱动器输入。

特性
  • 可配置性很高的 SPI 接口
  • 8V 至 52V 的电源电压范围
  • 多种衰减模式
  • 可调电流调节
  • 5V、10mA LDO 稳压器

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM129A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM227.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
SLPC015.ZIP (66 KB)

参考设计

很多TI参考设计会包含 CSD18540Q5B 。 通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DNK) 8 了解详情

订购与质量

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