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VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.3 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 41 QGD typ (nC) 6.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.9 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 221 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.3 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 41 QGD typ (nC) 6.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.9 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 221 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

此 1.8mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗 并且采用了 5mm × 6mm SON 封装。

中的封装尺寸拼写错误

此 1.8mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗 并且采用了 5mm × 6mm SON 封装。

中的封装尺寸拼写错误

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设计和开发

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仿真模型

CSD18540Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. A) CSD18540Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

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快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
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SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
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通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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