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产品详细信息

参数

VDS (V) 80 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.3 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 120 QGD typ (nC) 20 Package (mm) TO-220 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 273 ID - package limited (A) 150 Logic level No open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

TO-220 (KCS) 3 88 mm² 10.15 x 15.4 open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

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描述

这款 80V,2.0mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 CSD19506KCS 80V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. B) 下载英文版本 (Rev.B) 2015年 3月 24日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
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技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM102A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM229.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
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document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
TO-220 (KCS) 3 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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