CSD19506KCS

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采用 TO-220 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V) 80 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.3 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 120 QGD (typ) (nC) 20 QGS (typ) (nC) 37 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 273 ID - package limited (A) 150 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 175 Rating Catalog
VDS (V) 80 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.3 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 120 QGD (typ) (nC) 20 QGS (typ) (nC) 37 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 273 ID - package limited (A) 150 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 175 Rating Catalog
TO-220 (KCS) 3 46.228 mm² 10.16 x 4.55
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

这款 80V,2.0mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

这款 80V,2.0mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

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设计和开发

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仿真模型

CSD19506KCS TINA-TI Spice Model

SLPM229.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD19506KCS Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM102B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
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