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VDS (V) 80 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.3 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 120 QGD typ (nC) 20 QGS typ (nC) 37 Package (mm) TO-220 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 273 ID - package limited (A) 150 Logic level No
VDS (V) 80 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.3 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 120 QGD typ (nC) 20 QGS typ (nC) 37 Package (mm) TO-220 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 273 ID - package limited (A) 150 Logic level No
TO-220 (KCS) 3 88 mm² 10.15 x 15.4
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 次级侧同步整流器
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这款 80V,2.0mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

这款 80V,2.0mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

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设计和开发

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