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CSD22205L

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采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15 VGSTH typ (typ) (V) -0.7 QG (typ) (nC) 6.5 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.4 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15 VGSTH typ (typ) (V) -0.7 QG (typ) (nC) 6.5 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.4 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YMG) 4 1.3456 mm² 1.16 x 1.16
  • 低电阻
  • 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装
  • 0.36mm 厚,超薄型
  • 无铅
  • 栅源电压钳位
  • 栅极 ESD 保护
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • 低电阻
  • 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装
  • 0.36mm 厚,超薄型
  • 无铅
  • 栅源电压钳位
  • 栅极 ESD 保护
  • 符合 RoHS
  • 无卤素

这款 -8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供更低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板(而非焊球)的器件芯片级封装。

这款 -8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供更低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板(而非焊球)的器件芯片级封装。

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更多文献资料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
设计指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

设计与开发

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支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

仿真模型

CSD22205L Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM298A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YMG) 4 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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