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产品详细信息

参数

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 47 Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) 67 Id peak (Max) (A) -16 Id max cont (A) -1.6 QG typ (nC) 2.2 QGD typ (nC) 0.14 QGS typ (nC) 0.74 VGSTH typ (V) -0.85 Package (mm) WLP 1.0x1.0 open-in-new 查找其它 P沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

DSBGA (YZB) 4 0 mm² 1 x 1.004 open-in-new 查找其它 P沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
  • 小尺寸封装 1mm x 1mm
  • 低高度(高度为 0.62mm)
  • 无铅
  • 栅 - 源电压钳位
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
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描述

此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图 在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上,RθJA=75°C/W。脉宽 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%受栅极电阻限制。
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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 P 通道NexFET™ 功率MOSFET, CSD25213W10 数据表 下载英文版本 2013年 7月 3日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM176B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM272.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
DSBGA (YZB) 4 了解详情

订购与质量

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