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CSD18541F5

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采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 65 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 75 VGSTH typ (typ) (V) 1.75 QG (typ) (nC) 11 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.2 ID - package limited (A) 2.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 65 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 75 VGSTH typ (typ) (V) 1.75 QG (typ) (nC) 11 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.2 ID - package limited (A) 2.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJK) 3 1.0877 mm² 1.49 x 0.73
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 1.53mm × 0.77mm
  • 薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
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    • 1.53mm × 0.77mm
  • 薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该 54mΩ、60V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在空间受限的工业负载开关应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

该 54mΩ、60V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在空间受限的工业负载开关应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
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设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块

这个 FemtoFET N 沟道评估模块 (EVM) 包含七个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道器件型号。  子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。  七个 FemtoFET 支持 12V 至 60V 的 VDS 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
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支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
仿真模型

CSD18541F5 TINA-TI Spice Model

SLPM228.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
下载
仿真模型

CSD18541F5 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM180B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

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下载
参考设计

TIDA-010049 — 适用于 IEC 61508 (SIL-2) 且经 TUV 评估的数字输入参考设计

该 8 通道、组隔离式、数字输入模块参考设计聚焦于需要工业功能安全的应用。该设计实现了诊断功能，以帮助检测永久和瞬态随机硬件故障。该输入模块的概念已经过 TUEV SUED (TÜV SÜD) 的评估，可帮助设计人员满足 IEC61508-2:2010 (SIL2) 和 EN13849-1:2015 (Cat2 PLd) 系统合规性要求。此外，该设计还具有 0 硬件容错 (HFT) 能力（1oo1D 架构），并且具有设计用于符合 IEC61131-2（1 类）建议的数字输入。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01065 — 采用 MOSFET 的隔离式自供电交流固态继电器参考设计

采用 MOSFET 的隔离式自供电交流固态继电器参考设计是一种继电器替代方法，可实现高效的电源管理，适用于以低功耗方式替代标准机电式继电器。通过电容实现电隔离，为恒温器和其他类似设备中的多个继电器更换提供了一种成本效益高且尺寸小的解决方案。
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参考设计

TIDA-01064 — 采用 MOSFET 的低 BOM 成本交流固态继电器参考设计

采用 MOSFET 的低 BOM 成本交流固态继电器参考设计是一种继电器替代方法，可实现高效的电源管理，用于在恒温器应用中以低功耗方式替代标准机电式继电器。此 SSR 参考设计是自供电固态继电器的基础型号，可为低成本恒温器提供低 BOM 成本解决方案。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YJK) 3 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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