CSD15571Q2

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采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、19.2mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V) 20 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19.2 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 15 IDM - pulsed drain current (max) (A) 52 QG (typ) (nC) 2.5 QGD (typ) (nC) 0.66 QGS (typ) (nC) 0.93 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 10 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 20 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19.2 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 15 IDM - pulsed drain current (max) (A) 52 QG (typ) (nC) 2.5 QGD (typ) (nC) 0.66 QGS (typ) (nC) 0.93 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 10 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
WSON (DQK) 6 4 mm² 2 x 2
  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 存储、平板电脑和手持类器件
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
  • 负载点同步降压转换器

  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 存储、平板电脑和手持类器件
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
  • 负载点同步降压转换器

此 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。

顶视图 RθJA = 50,这是在 1 平方英寸纯铜(2 盎司),厚度为 .060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上测得的值。脉冲持续时间 10μs,占空比 ≤ 2%

此 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。

顶视图 RθJA = 50,这是在 1 平方英寸纯铜(2 盎司),厚度为 .060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上测得的值。脉冲持续时间 10μs,占空比 ≤ 2%

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设计和开发

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仿真模型

CSD15571Q2 TINA-TI Spice Model

SLPM213.ZIP (6 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD15571Q2 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM081B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
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MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
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SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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