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VDS (V) 20 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 19.2 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 15 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 52 QG typ (nC) 2.5 QGD typ (nC) 0.66 QGS typ (nC) 0.93 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.45 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 10 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes
VDS (V) 20 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 19.2 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 15 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 52 QG typ (nC) 2.5 QGD typ (nC) 0.66 QGS typ (nC) 0.93 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.45 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 10 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes
  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 存储、平板电脑和手持类器件
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
  • 负载点同步降压转换器

  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 存储、平板电脑和手持类器件
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
  • 负载点同步降压转换器

此 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。

顶视图 RθJA = 50,这是在 1 平方英寸纯铜(2 盎司),厚度为 .060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上测得的值。脉冲持续时间 10μs,占空比 ≤ 2%

此 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。

顶视图 RθJA = 50,这是在 1 平方英寸纯铜(2 盎司),厚度为 .060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上测得的值。脉冲持续时间 10μs,占空比 ≤ 2%

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设计和开发

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仿真模型

CSD15571Q2 TINA-TI Spice Model

SLPM213.ZIP (6 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD15571Q2 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM081B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
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MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
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MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
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SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。

许多 TI 参考设计都包括 CSD15571Q2

通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

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(DQK) 6 了解详情

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  • REACH
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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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支持与培训

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