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MOSFET
N 沟道 MOSFET

CSD13380F3

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采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 12 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 IDM - pulsed drain current (max) (A) 13.5 QG (typ) (nC) 0.91 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.19 VGS (V) 8 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 ID - package limited (A) 3.6 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 12 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 IDM - pulsed drain current (max) (A) 13.5 QG (typ) (nC) 0.91 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.19 VGS (V) 8 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 ID - package limited (A) 3.6 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高漏极工作电流
  • 超小尺寸
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 薄型封装
    • 最大厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 3kV 人体放电模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高漏极工作电流
  • 超小尺寸
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 薄型封装
    • 最大厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 3kV 人体放电模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该 63mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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该 63mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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设计和开发

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评估板

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块

这款 FemtoFET N 沟道 EVM 包含七个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。七个 FemtoFET 支持 12V 至 40V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。
用户指南: PDF
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支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
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仿真模型

CSD13380F3 TINA-TI Reference Design

SLPM257.TSC (65 KB) - TINA-TI Reference Design
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仿真模型

CSD13380F3 TINA-TI Spice Model

SLPM258.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
下载
仿真模型

CSD13380F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM241A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
下载
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
下载
封装 引脚数 下载
PICOSTAR (YJM) 3 了解详情
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频