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产品详细信息

参数

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 117 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 109 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 10 QG typ (nC) 1.04 QGD typ (nC) 0.133 Package (mm) LGA 1.0 x 0.6mm VGS (V) 12 VGSTH typ (V) 0.85 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄
    • 高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准

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描述

这款 90mΩ,30V N 通道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。

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技术文档

= TI 精选相关文档
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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 CSD17381F4 30V N 通道 FemtoFETMOSFET 数据表 (Rev. E) 下载英文版本 (Rev.E) 2018年 2月 16日
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用户指南 Ultra-Small Footprint N-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM 2017年 12月 6日
用户指南 Design Summary FemtoFET SMT 2016年 7月 7日
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技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
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说明
这款 FemtoFET N 沟道 EVM 包含七个子卡,每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。七个 FemtoFET 支持 12V 至 40V 的 Vds 范围,而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。
特性
  • 可轻松处理这些基板栅格阵列 (LGA) 封装部件
  • 完整范围的 Vds 和封装尺寸
  • 七个子卡可拆分以创建单板(每个子卡一个 FET)
  • FemtoFET 具有 FET 业内最佳的尺寸*电阻

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM073A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM134.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
MOSFET-LOSS-CALC MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
MOSFET power loss calculator for synchronous buck converter applications
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
特性
  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗

参考设计

参考设计 下载
400W 连续、可扩展、±2.5 至 ±150V、可编程的超声波电源参考设计
TIDA-01352 — TIDA-01352 为向超声波发射电路供电的数字化可编程电源提供解决方案,以此来实现模块化和高效的功率调节能力。此参考设计使用推挽式拓扑来生成高压 (HV) 和低压 (LV) 或 MID 电压电源。HV 电压轨可在 ±50V 到 ±150V 之间进行编程,而 LV 或 MID 电压轨可在 ±2.5V 到 ±50V 之间进行编程。电源能够在每个电压轨上提供 100W 的连续功率。可编程能力是通过使用板载、12 位数模转换器 (DAC) 来实现的。所有的电源轨都能够同步到主时钟。作为可扩展的模块化设计,此参考设计允许复制或移除相同电源,具体取决于通道数量和脉冲发生器电平的数量。此参考设计还包含脉冲发生器操作必需的其他 LV 电源。此参考设计是高压直流/直流升压级的理想之选,可与浮点(后)稳压器设计 TIDA-01371 搭配使用。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(YJC) 3 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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支持与培训

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