CSD17577Q3A

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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装

应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 针对控制和同步 FET 应用进行了优化

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  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装

应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 针对控制和同步 FET 应用进行了优化

这款 30V,4.0mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。

顶部图标

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
。最大 RθJC = 3.0°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

这款 30V,4.0mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。

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。最大 RθJC = 3.0°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

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设计和开发

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仿真模型

CSD17577Q3A TINA-TI Spice Model

SLPM215.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD17577Q3A Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM139B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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订购和质量

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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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