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CSD17577Q3A

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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.8 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.4 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 13 QGD (typ) (nC) 2.8 QGS (typ) (nC) 5.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 83 ID - package limited (A) 35 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.8 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.4 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 13 QGD (typ) (nC) 2.8 QGS (typ) (nC) 5.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 83 ID - package limited (A) 35 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装

应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 针对控制和同步 FET 应用进行了优化

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  • 无铅
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  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装

应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 针对控制和同步 FET 应用进行了优化

这款 30V,4.0mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。

顶部图标

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
。最大 RθJC = 3.0°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

这款 30V,4.0mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。

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要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
。最大 RθJC = 3.0°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSONP (DNH) 8 Ultra Librarian

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