CSD16321Q5

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

可提供此产品的更新版本

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚
CSD17573Q5B 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET Lower resistance, similar price
CSD17576Q5B 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has similar resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.6 IDM - pulsed drain current (max) (A) 200 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.5 QGS (typ) (nC) 4 VGS (V) 10 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 177 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.6 IDM - pulsed drain current (max) (A) 200 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.5 QGS (typ) (nC) 4 VGS (V) 10 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 177 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSON-CLIP (DQH) 8 3E+1 mm² 6 x 5
  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low-Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low-Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

This 25-V, 1.9-mΩ, 5-mm × 6-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5-V gate drive applications.

This 25-V, 1.9-mΩ, 5-mm × 6-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5-V gate drive applications.

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设计和开发

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评估板

TPS40304EVM-353 — 具有 NexFET™ 功率 MOSFET 的 8-14V 输入电压、1.2V 输出电压同步降压控制器评估模块

TPS40304EVM-353 评估模块是一款同步降压控制器,可通过标称 12V 输入总线,在高达 20A 的电流下提供 1.2V 输出。根据设计,EVM 采用单电源启动,而无需附加的偏置电压。该模块使用我们的 NexFET™ 高性能 MOSFET,从而提高功率密度和效率。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

CSD16321Q5 TINA-TI Spice Model

SLIM043.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD16321Q5 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLIM298B.ZIP (8 KB) - PSpice Model
计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
参考设计

PMP22089 — 配备 GaN 技术的半桥点负载转换器参考设计

此参考设计将板载变压器的匝数比从 5:1 修改为 3:1,以降低输入范围。该电路板支持 24V 至 32V 的输入电压、0.5V 至 1.0V 的输出电压和高达 40A 的输出电流。该拓扑有效支持高降压比,同时提供高输出电流和可控性。原 EVM 设计用于评估 LMG5200 GaN 半桥功率级和 TPS53632G 半桥负载点 (PoL) 控制器。该电路板通过倍流整流器将转换器作为单级硬开关半桥使用。该电路板是 LMG5200POLEVM-10 评估模块的重新设计版本。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP9491 — 采用高效升压转换器的音箱/便携式扬声器参考设计。

PMP9491 是一款可用于 15W +15W 立体声或 30W 低音炮应用的 30W 高效紧凑型便携式扬声器/手提音响参考设计。此设计的电源是 1 块或 2 块串联的锂离子电池。此设计大致分为三个主要级:
  1. 采用 LM3481 控制器 IC 的高效单相非同步升压转换器。此设计接受 3.3Vin 至 9Vin 输入电压,可实现 12V 输出,并且能够为负载提供 2.5A 连续电流。峰值效率高达 95%。
  2. 采用 TPA3118D2 D 类器件的 15W+15W 立体声音频放大器。
  3. 极低成本立体声转换为低音炮低音输入。
  4. 电池充电器 bq24133,具有集成式 MOSFET 和电源路径选择器的 2.5A (...)
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP5800 — 用于 Intel IMVP6.5 Arrandale CPU 内核的同步降压 (1.05V@48A)

适用于工业和嵌入式 PC 的 Intel Core i7 (Arrandale) 48A CPU 内核参考设计;此两相 48A 设计面向采用 Intel Core i7 处理器的嵌入式和工业 PC,在小面积内提供紧凑 CPU 内核电压调节和出众热性能
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
VSON-CLIP (DQH) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

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