主页 电源管理 MOSFET
主页
电源管理
MOSFET

CSD16321Q5

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

立即订购
数据表

可提供此产品的更新版本

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同，且具有相同引脚
CSD17573Q5B 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET Lower resistance, similar price
CSD17576Q5B 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has similar resistance and a lower price.

CSD16321Q5

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

VDS (V) 25 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.6 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.5 QGS (typ) (nC) 4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 177 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 25 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.6 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.5 QGS (typ) (nC) 4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 177 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DQH) 8 30 mm² 6 x 5
  • 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
  • 超低 Q g 和 Q gd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 5mm × 6mm SON 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
  • 超低 Q g 和 Q gd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 5mm × 6mm SON 塑料封装

这款 25V、1.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度减小功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。

这款 25V、1.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度减小功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。
filter 查找其他 MOSFET
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 12
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD16321Q5 25V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. E) PDF | HTML 英语版 (Rev.E) PDF | HTML 2023年 12月 6日
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. G) PDF | HTML 英语版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
应用简报 估算功率 MOSFET 的漏电流 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 11月 7日
应用手册 在选择功率 MOSFET 和使用功率 MOSFET 进行设计时避免常 见错误 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 11月 7日
应用手册 半导体和 IC 封装热指标 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2024年 4月 24日
应用手册 QFN 和 SON PCB 连接 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2024年 1月 5日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 瞬态热阻抗曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 19日
应用简报 成功并联功率 MOSFET 的技巧 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 6日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 3月 15日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 英语版 2015年 5月 12日

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPS40304EVM-353 — 具有 NexFET™ 功率 MOSFET 的 8-14V 输入电压、1.2V 输出电压同步降压控制器评估模块

TPS40304EVM-353 评估模块是一款同步降压控制器，可通过标称 12V 输入总线，在高达 20A 的电流下提供 1.2V 输出。根据设计，EVM 采用单电源启动，而无需附加的偏置电压。该模块使用我们的 NexFET™ 高性能 MOSFET，从而提高功率密度和效率。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
仿真模型

CSD16321Q5 TINA-TI Spice Model

SLIM043.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
下载
仿真模型

CSD16321Q5 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLIM298B.ZIP (8 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive

This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
计算工具

SLPR053 — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for synchronous boost converter applications.

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
View Options
参考设计

PMP9491 — 采用高效升压转换器的音箱/便携式扬声器参考设计。

PMP9491 是一款可用于 15W +15W 立体声或 30W 低音炮应用的 30W 高效紧凑型便携式扬声器/手提音响参考设计。此设计的电源是 1 块或 2 块串联的锂离子电池。此设计大致分为三个主要级：
  1. 采用 LM3481 控制器 IC 的高效单相非同步升压转换器。此设计接受 3.3Vin 至 9Vin 输入电压，可实现 12V 输出，并且能够为负载提供 2.5A 连续电流。峰值效率高达 95%。
  2. 采用 TPA3118D2 D 类器件的 15W+15W 立体声音频放大器。
  3. 极低成本立体声转换为低音炮低音输入。
  4. 电池充电器 bq24133，具有集成式 MOSFET 和电源路径选择器的 2.5A (...)
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP22089 — 配备 GaN 技术的半桥点负载转换器参考设计

此参考设计将板载变压器的匝数比从 5:1 修改为 3:1，以降低输入范围。该电路板支持 24V 至 32V 的输入电压、0.5V 至 1.0V 的输出电压和高达 40A 的输出电流。该拓扑有效支持高降压比，同时提供高输出电流和可控性。原 EVM 设计用于评估 LMG5200 GaN 半桥功率级和 TPS53632G 半桥负载点 (PoL) 控制器。该电路板通过倍流整流器将转换器作为单级硬开关半桥使用。  该电路板是 LMG5200POLEVM-10 评估模块的重新设计版本。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSON-CLIP (DQH) 8 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频