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产品详细信息

参数

VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.7 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 118 QGD typ (nC) 17 Package (mm) TO-220 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.5 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 259 ID, package limited (A) 150 Logic level No open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

TO-220 (KCS) 3 88 mm² 10.15 x 15.4 open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

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描述

这款 100V,2.3mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

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技术文档

设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM101A.ZIP (7 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM118.TSM (63 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
SLPC015.ZIP (66 KB)

参考设计

参考设计 下载
效率大于 93% 且适用于 UPS 的 2kW、48V 至 400V 隔离式双向直流/直流转换器参考设计
TIDA-00951 — 此 2kW 隔离式双向直流/直流转换器参考设计 (TIDA-00951) 可在 400V 直流总线和 12 - 14 节锂电池组之间进行电力传输,可用于 UPS、电池备份和电力存储等应用。在备用模式下,此参考设计可用作采用 ZVS 技术的有源钳位升压转换器,将电源从 48V 电池传输至 400V 直流总线。当用作电压馈入式全桥电池充电器,从 400V 直流总线为 48V 电池充电时,此参考设计可实现大于 93% 的效率。此参考设计还设有内置直流总线和电池过流保护,并设有过压保护。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
TO-220 (KCS) 3 了解详情

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