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CSD19536KCS

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采用 TO-220 封装的单路、2.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.7 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 118 QGD (typ) (nC) 17 QGS (typ) (nC) 37 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 259 ID - package limited (A) 150 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 175 Rating Catalog
VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.7 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 118 QGD (typ) (nC) 17 QGS (typ) (nC) 37 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 259 ID - package limited (A) 150 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 175 Rating Catalog
TO-220 (KCS) 3 46.228 mm² 10.16 x 4.55
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

这款 100V，2.3mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

这款 100V，2.3mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

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设计和开发

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支持软件

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SLPM118.TSM (63 KB) - TINA-TI Spice Model
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