30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm
产品详细信息
参数
特性
- Optimized for 5V Gate Drive
- Ultralow Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
- APPLICATIONS
- Notebook Point of Load
- Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems
描述
The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.
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设计与开发
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设计工具和仿真
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设计文件
-
download PMP7882 BOM.pdf (108KB) -
download PMP7882 Gerber.zip (180KB)
CAD/CAE 符号
| 封装 | 引脚 | 下载 |
|---|---|---|
| (DQJ) | 8 | 了解详情 |
订购与质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/FIT 估算
- 材料成分
- 认证摘要
- 持续可靠性监测
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