产品详细信息

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 8.1 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 84 QG typ (nC) 9 QGD typ (nC) 2.3 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 74 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 8.1 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 84 QG typ (nC) 9 QGD typ (nC) 2.3 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 74 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

此 30V、5.5mΩ、3.3mm × 3.3mm SON NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

此 30V、5.5mΩ、3.3mm × 3.3mm SON NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

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