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MOSFET
N 沟道 MOSFET

CSD17552Q3A

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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD17577Q3A 正在供货 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has similar resistance and a lower price.

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VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 8.1 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 6 IDM - pulsed drain current (max) (A) 84 QG (typ) (nC) 9 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 3.6 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 74 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 8.1 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 6 IDM - pulsed drain current (max) (A) 84 QG (typ) (nC) 9 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 3.6 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 74 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

此 30V、5.5mΩ、3.3mm × 3.3mm SON NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

此 30V、5.5mΩ、3.3mm × 3.3mm SON NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

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设计和开发

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支持软件

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SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

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VSONP (DNH) 8 了解详情
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

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