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N 沟道 MOSFET

CSD17578Q5A

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.3 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 6.9 IDM - pulsed drain current (max) (A) 132 QG (typ) (nC) 7.9 QGD (typ) (nC) 2 QGS (typ) (nC) 3.1 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 59 ID - package limited (A) 25 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.3 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 6.9 IDM - pulsed drain current (max) (A) 132 QG (typ) (nC) 7.9 QGD (typ) (nC) 2 QGS (typ) (nC) 3.1 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 59 ID - package limited (A) 25 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

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这款 30V，5.9mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

这款 30V，5.9mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

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设计和开发

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支持软件

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SLPC019A.ZIP (375 KB)
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仿真模型

CSD17578Q5A Unencrypted PSpice Model

SLPM345.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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参考设计

TIDA-01182 — 具有自动音频控制 1S1P BMS 的便携式音频放大器参考设计

高性能 10W（每个扬声器 5W）便携式音频放大器，包括为 D 类音频放大器中的便携式音频放大器实施 BMS（电池管理解决方案）所需的一切（包括用于 1S1P 18650 2400mAh 锂电池的充电器、电量监测计和保护装置）。通过使用高效电源稳压器、D 类放大器和适当的电池管理，获得更长的运行时间。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
VSONP (DQJ) 8 了解详情
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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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