CSD19538Q3A

正在供货

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 61 IDM - pulsed drain current (max) (A) 36 QG (typ) (nC) 4.3 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.6 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 3.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 13.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 61 IDM - pulsed drain current (max) (A) 36 QG (typ) (nC) 4.3 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.6 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 3.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 13.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
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这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。

这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。

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设计和开发

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仿真模型

CSD19538Q3A Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM184A.ZIP (5 KB) - PSpice Model
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订购和质量

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  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

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