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CSD19538Q3A

正在供货

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 61 VGSTH typ (typ) (V) 3.2 QG (typ) (nC) 4.3 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 13.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 61 VGSTH typ (typ) (V) 3.2 QG (typ) (nC) 4.3 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 13.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 具有雪崩能力
  • 无铅
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
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这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最小化导通损耗并减少 PoE 应用中的板面占用空间。

这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最小化导通损耗并减少 PoE 应用中的板面占用空间。

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设计与开发

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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

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仿真模型

CSD19538Q3A Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

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SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

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此参考设计是一款待机和运输模式电流消耗低、电芯电压精度高的 16 芯串联锂离子、磷酸铁锂电池包。该设计能够非常精确地监测各个电芯的电压和温度、电池包电流和 MOSFET 温度,并防止锂离子和磷酸铁锂电池包出现电芯过压、欠压、过热、充放电过流以及放电短路现象。五对低侧 N 沟道 MOSFET 架构具有强大的开关能力,使该设计能够承受更大的充放电电流。利用高效的辅助电源策略,此参考设计可实现 100μA 待机功耗和 10μA 运输模式功耗,因此能够节省更多能源并实现更长的运输时间和待机时间。这些特性使得此参考设计适用于电信和服务器、住宅储能系统 (...)
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSONP (DNH) 8 Ultra Librarian

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