产品详细信息

VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 61 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 36 QG typ (nC) 4.3 QGD typ (nC) 0.8 QGS typ (nC) 1.6 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 3.2 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 13.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No
VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 61 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 36 QG typ (nC) 4.3 QGD typ (nC) 0.8 QGS typ (nC) 1.6 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 3.2 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 13.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。

这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。

下载

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较产品
功能与比较器件相同但引脚有所不同。
CSD19538Q2 正在供货 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET Same resistance

技术文档

star = 有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 7
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD19538Q3A 100V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 21 Mar 2017
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31 May 2022
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 08 Feb 2019
应用手册 QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 24 Aug 2018
应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 19 Apr 2016
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 03 Feb 2016
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 08 Oct 2015

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

仿真模型

CSD19538Q3A Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM184A.ZIP (5 KB) - PSpice Model
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
参考设计

PMP20859 — 具备平稳过渡的双输入冗余 PoE PD 参考设计

此参考设计采用了一个 IEEE802.3bt(草案)以太网供电 (PoE) 用电设备 (PD) 并具有双冗余输入,可以在这两个输入与辅助输入之间平稳过渡。  此设计包含一个 5V/6A 同步反激式转换器,可使用最多三个电源(两个 PoE 电源设备 (PSE) 电源和一个交流/直流壁式适配器辅助电源),以降低系统断电和丢失数据的可能性。
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01426 — 利用低压直流源生成线路交流电压且可用于传感器励磁的参考设计

此参考设计展示了如何让设计人员使用分立式组件获得可用于检测火焰的高压信号。构建此参考设计时考虑到了低 BOM 成本和小型解决方案尺寸。通过采用推挽转换器拓扑,可以实现宽输入范围和短启动时间。
原理图: PDF
参考设计

PMP20588 — 全自主式单端口 2 类 (30W) PoE PSE 参考设计

PMP20588 参考设计利用 TPS23861 PSE 控制器来实施单端口 2 类 PoE PSE。其中包含的隔离型反激式转换器使用 LM5022 电流模式 PWM 控制器,可接受 12V 直流/24V 交流输入,并为 PSE 提供 55V 直流/600mA 输出源。它非常适合所有 2 类 (30W) PoE PSE 应用。
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01227 — 高压步进驱动器参考设计

TIDA-01227 参考设计是用于双极应用的 15V 至 70V 步进电机控制器。该设计使用德州仪器 (TI) 的 DRV8711 双极步进电机控制器栅极驱动器、CSD19538Q3A 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET、CSD17483F4 30V N 通道 FemtoFET™ MOSFET、MSP430G2553 MCU、LM5107 100V/1.4A 峰值半桥栅极驱动器和 LM5017 12V 降压转换器。该设计的重点是展示如何使用 DRV8711 步进电机控制器在高于 60V 的电压下控制步进电机。DRV8711 在 12V (...)
原理图: PDF
参考设计

PMP20183 — 9V-15V 输入电压升压转换器 (200V@10mA) 参考设计

此升压转换器采用一个电压三倍器,可实现很高的输入/输出升压比。此设计的成本低,且仅需要不到 25mm x 25mm 的面积。
原理图: PDF
参考设计

PMP20430 — 输入电压为 10V 至 32V、输出为 25V@1A 的工厂自动化 I/O 模块参考设计

PMP20430 是采用 LM5175 的 4 开关降压/升压控制器,适合工业应用。此设计的最小工作输入电压为 10V,最大输入电压为 32V,支持 25V/1A 输出。开关频率设置为 600kHz;在降压/升压模式中,开关频率降低一半,降压和升压按最大和最小占空比以 300kHz 频率交替切换。
原理图: PDF
参考设计

PMP12072 — 隔离式 24V 交流/直流固态继电器参考设计

此隔离式双向固态开关可控制流入直流负载和交流负载的电流。此开关的额定电压为 24VAC,可对高达约 1Arms/4Apeak 的负载进行开关操作。
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
(DNH) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频