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N 沟道 MOSFET

CSD18531Q5A

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.8 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.6 IDM - pulsed drain current (max) (A) 300 QG (typ) (nC) 36 QGD (typ) (nC) 5.9 QGS (typ) (nC) 6.9 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 134 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.8 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.6 IDM - pulsed drain current (max) (A) 300 QG (typ) (nC) 36 QGD (typ) (nC) 5.9 QGS (typ) (nC) 6.9 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 134 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
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  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

此 60V、3.5mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小电源转换应用中的 损耗。

此 60V、3.5mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小电源转换应用中的 损耗。
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