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VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.8 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 300 QG typ (nC) 36 QGD typ (nC) 5.9 QGS typ (nC) 6.9 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 134 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.8 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 300 QG typ (nC) 36 QGD typ (nC) 5.9 QGS typ (nC) 6.9 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 134 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

此 60V、3.5mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小电源转换应用中的 损耗。

此 60V、3.5mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小电源转换应用中的 损耗。

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设计和开发

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DRV8711EVM — 具有片上 1/256 微步进分度器的步进电机前置驱动器的评估模块

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CSD18531Q5A TINA-TI Spice Model

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快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。

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