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VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 7.3 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 5.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 129 QG typ (nC) 6.4 QGD typ (nC) 1.9 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 55 ID - package limited (A) 55 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 7.3 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 5.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 129 QG typ (nC) 6.4 QGD typ (nC) 1.9 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 55 ID - package limited (A) 55 Logic level Yes
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
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  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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设计与开发

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