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CSD15380F3

正在供货

采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1460 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 4000 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 0.216 QGD (typ) (nC) 0.027 QGS (typ) (nC) 0.077 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 0.5 ID - package limited (A) 0.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1460 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 4000 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 0.216 QGD (typ) (nC) 0.027 QGS (typ) (nC) 0.077 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 0.5 ID - package limited (A) 0.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • 超低 CiSS 和 COSS
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 超薄型封装
    • 最大厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 超低 CiSS 和 COSS
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 超薄型封装
    • 最大厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该 20V、990mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。超低电容提高了开关速度。在数据线应用中使用时,低电容可最大限度地降低噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

该 20V、990mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。超低电容提高了开关速度。在数据线应用中使用时,低电容可最大限度地降低噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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技术文档

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更多文献资料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
设计指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日
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设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块

这个 FemtoFET N 沟道评估模块 (EVM) 包含七个子卡,每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道器件型号。  子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。  七个 FemtoFET 支持 12V 至 60V 的 VDS 范围,而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

仿真模型

CSD15380F3 TINA-TI Spice Model

SLPM197.ZIP (3 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD15380F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM179B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

参考设计

TIDA-01081 — 针对机器视觉应用的 LED 照明控制参考设计

此 LED 照明控制参考设计展示了一种独特方案,可驱动和控制包含多个大功率发光二极管 (LED) 的灯串。本参考设计以工业机器视觉系统为主要应用场景,同时适配其他工业及汽车照明应用需求。本设计支持用户对 LED 电流及时序进行编程,实现 LED 的安全过驱以提升照明亮度。本设计具备自主运行能力,同时支持通过隔离式接口实现触发或生成触发信号。内部电路模块可支持宽输入电压范围、可编程输入电流及输入功率控制,同时提供反极性、过压及过温保护。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDM-02010 — 具有数字交错式 PFC、适用于 HVAC 的双电机控制参考设计

TIDM-02010 参考设计是一款适用于 HVAC 应用变频空调室外单元控制器的 1.5kW 双电机驱动和 PFC 控制参考设计,展示了一种对压缩机和风扇电机驱动器以及数字交错式升压 PFC 实现无传感器三相 PMSM 矢量控制的方法,可通过一个 C2000™ 微控制器满足新的效率标准。此参考设计提供的硬件和软件已经过测试,而且可随时使用,有助于加快开发,从而缩短产品上市时间。本参考设计包括硬件设计文件和软件代码。
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YJM) 3 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频