主页 电源管理 MOSFET
主页
电源管理
MOSFET

CSD23285F5

正在供货

采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

立即订购
数据表

CSD23285F5

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 35 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 47 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 3.2 QGD (typ) (nC) 0.48 QGS (typ) (nC) 0.66 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 35 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 47 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 3.2 QGD (typ) (nC) 0.48 QGS (typ) (nC) 0.66 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJK) 3 1.0877 mm² 1.49 x 0.73
  • 低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 1.53mm x 0.77mm
    • 0.50mm 焊盘间距
  • 薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 1.53mm x 0.77mm
    • 0.50mm 焊盘间距
  • 薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该 29mΩ、-12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

该 29mΩ、-12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
filter 查找其他 MOSFET
下载 观看带字幕的视频 视频

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同，且具有相同引脚
CSD25485F5 正在供货 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET Alternate 20 V versus 12 V, higher resistance

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 10
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD23285F5 -12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 4月 14日
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. G) PDF | HTML 英语版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
应用简报 估算功率 MOSFET 的漏电流 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 11月 7日
应用手册 半导体和 IC 封装热指标 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2024年 4月 24日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 瞬态热阻抗曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 19日
应用简报 成功并联功率 MOSFET 的技巧 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 6日
应用手册 解决芯片级功率 MOSFET 的组装问题 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 6日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 3月 15日
更多文献资料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
设计指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 沟道评估模块

此 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道器件型号。  子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。  六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
仿真模型

CSD23285F5 TINA-TI Spice Model

SLPM236.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
下载
仿真模型

CSD23285F5 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM195A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下载
参考设计

TIDA-01067 — 带有压力、湿度和温度传感功能的智能风门控制参考设计

本参考设计用于在互联的采暖、通风和空调 (HVAC) 应用中实现多房间的舒适度控制。通过检测温度、湿度和压力，在每个区域进行独立监控和气流调节。该参考设计将定风量 (CAV) 系统转换为变风量 (VAV) 系统。能够以无线方式将收集的数据传输到智能恒温器或网关。可以采用板载传感器，从而实现预测性维护、缩短技术故障排除时间并降低总体能耗。电池寿命长，可支持智能风门运行多年，而无需花费时间和资金进行电池更换。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01228 — 具有电感式感应功能的低功耗水流测量参考设计

此参考设计展示了适用于此应用的一款高度集成式解决方案，此解决方案采用 CC1350 SimpleLink™ 无线 MCU 和 FemtoFET™ MOSFET 支持的电感式传感技术。此参考设计还为集成无线通信（如无线 M-Bus、Sigfox™ 或专有协议）提供了平台。希望添加自动抄表 (AMR) 功能的水量测量工具供应商面临两个选择，即更换所有的现有计量表，或者安装一个简单的电子附加模块，该模块可准确测量水流流速并以无线方式传输结果。此类附加模块可为消费者提供带有 AMR 功能且经济实惠的解决方案。 
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-010050 — 适用于 AMR 的超低功耗水流测量参考设计

此参考设计经过全面测试，展示了一个通过机械流量计对水流进行电子测量的低功耗解决方案，并提供了用于水流测量和无线通信的单芯片平台。该设计非常适用于水表自动抄表 (AMR) 模块，该模块可在现有机械流量计上添加无线通信功能。射频子系统支持无线 M-Bus 等标准协议或低于 1GHz ISM 频带的专有协议。此参考设计可提供远距离精确读取机械旋转量的能力，并提供更高的可靠性。超低的功耗可降低对电池的要求并延长产品寿命。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01525 — 8 通道 16 位 200mA 电流输出 DAC 参考设计

该参考设计将小体积、高性能的 8 通道 16 位数模转换器 (DAC) DAC80508 与精密运算放大器相结合，可创建高密度、精确的电流源解决方案。此参考设计的最大输出电流为 200mA，允许最小 PVDD 供电电压，可降低功耗，实现高效率。此外，该设计的电流噪声输出很低，这得益于 DAC80508 的低参考电压噪声和 OPA2376 的低电压和电流噪声。 
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YJK) 3 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频