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功能与比较器件相同且具有相同引脚。
CSD18510Q5B 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and lower charge with a similar price.

产品详情

VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 1.7 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 1.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 150 QGD typ (nC) 17 QGS typ (nC) 29 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.9 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 299 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 1.7 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 1.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 150 QGD typ (nC) 17 QGS typ (nC) 29 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.9 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 299 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • 超低导通电阻
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
  • 超低导通电阻
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

这个 40V,1mΩ,SON5x6 NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。

这个 40V,1mΩ,SON5x6 NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。

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类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD18509Q5B N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 2017年 7月 13日
应用手册 MOSFET Support and Training Tools (Rev. A) PDF | HTML 2022年 11月 4日
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
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设计和开发

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仿真模型

CSD18509Q5B PSpice Model (Rev. B)

SLPM128B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
仿真模型

CSD18509Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM218.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计

PMP4466 — 符合 DOE6 和 CoC V5 第 2 阶段标准的通用交流输入转 5V/3A 输出参考设计

PMP4466 是一款适用高电流充电器应用的交流输入至 5V 3A 输出参考设计。此拓扑为采用 UCC28740 和 UCC24636 的同步整流准谐振反激式拓扑。通过采用二级侧调节控制器 UCC28740,可实现良好的调节和动态性能。此设计中还采用了伏秒平衡 SR 控制器 UCC24636,从而可提高效率。此解决方案轻松超过 DoE 第 VI 级和 EU CoC V5 第 2 级标准。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP4403 — USB Type-C DFP 充电器 5V3A SSR 控制适配器参考设计

PMP4403 是一款适用于 USB Type-C™ DFP 应用的交流输入 5V 3A 参考设计。它还与 BC 1.2 器件兼容。此解决方案为采用 UCC28740 和 UCC24636 的同步整流 QR 反激式解决方案。通过采用二级侧调节控制器 UCC28740,可实现良好的调节和动态性能。此设计中还采用了伏秒平衡 SR 控制器 UCC24636,从而可提高效率。此解决方案轻松超过 DoE 第 VI 级和 EU CoC V5 第 2 级标准。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP11281 — 通用交流输入 5V/10A/50W PSR 反激电源参考设计(平均效率达 88% 以上)

PMP11281 是基于 UCC28730 初级侧调节 (PSR) 控制器的准谐振反激式电源。通过使用 PSR 拓扑从而移除光耦合器,可有效提升可靠性并降低系统成本。此设计可实现低于 40mW 的待机功率损耗以及超过 88% 的平均效率。此设计还采用 UCC2463x 同步整流控制器。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP11232 — 通用交流输入 5V/6A/30W PSR 反激电源参考设计(平均效率达 89.5% 以上).

PMP11232 是基于 UCC28730 初级侧调节 (PSR) 控制器的准谐振反激式电源。通过使用 PSR 拓扑从而省去光耦合器,可有效提升可靠性并降低系统成本。此设计可实现小于 40mW 的待机功率损耗以及超过 89.5% 的平均效率。此设计还采用 UCC2463x 同步整流控制器。
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参考设计

PMP10974 — 通用交流输入 5V/10A/50W PSR 反激电源参考设计(平均效率达 89% 以上)

PMP10974 是基于 UCC28730 初级侧调节 (PSR) 控制器的准谐振反激式电源。通过使用 PSR 拓扑从而移除光耦合器,可有效提升可靠性并降低系统成本。此设计可实现低于 40mW 的待机功率损耗以及超过 89% 的平均效率。此设计还采用 UCC2463x 同步整流控制器。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP10092 — 采用 LM5121 的 8V/7A 同步升压参考设计

PMP10092 参考设计是一款同步升压转换器,在 3V 至 8V 的输入范围内工作,在 7A 的负载下产生 8V 输出。电路带有用于确保安全的输出隔离开关。由于采用了同步设计,可实现 97% 的高效率。
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封装 引脚数 下载
(DNK) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频