CSD87331Q3D

正在供货

采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

产品详情

VGS (V) 10 VDS (V) 30 Power loss (W) 1.3 Ploss current (A) 10 ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 15 Operating temperature range (°C) -55 to 150 Features Power supply Duty cycle (%) Low Rating Catalog
VGS (V) 10 VDS (V) 30 Power loss (W) 1.3 Ploss current (A) 10 ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 15 Operating temperature range (°C) -55 to 150 Features Power supply Duty cycle (%) Low Rating Catalog
LSON-CLIP (DQZ) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • 半桥电源块
  • VIN 高达 27V
  • 高达 15A 的运行电流
  • 10A 电流时系统效率为 91%
  • 高频运行(高达 1.5MHz)
  • 高密度 3.3mm × 3.3mm SON 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
  • 半桥电源块
  • VIN 高达 27V
  • 高达 15A 的运行电流
  • 10A 电流时系统效率为 91%
  • 高频运行(高达 1.5MHz)
  • 高密度 3.3mm × 3.3mm SON 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层

CSD87331Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。

CSD87331Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。

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设计和开发

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仿真模型

CSD87331Q3D Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B)

SLPM031B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
计算工具

SLPR053 Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
电源块
CSD86330Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86336Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86350Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86356Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86360Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87330Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87331Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87333Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87334Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87335Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87350Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351ZQ5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87352Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87353Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87355Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 45A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87381P 采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87384M 采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87588N 采用 5mm x 2.5mm LGA 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET
N 沟道 MOSFET
CSD13202Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD15571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、19.2mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16321Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16322Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16323Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16325Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16327Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16340Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16342Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16401Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16403Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16404Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、7.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16406Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16407Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16408Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16409Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、12.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16410Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16411Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、15mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16412Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、16mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16413Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16414Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16415Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17301Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17302Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17303Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17304Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17305Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17306Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17307Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17308Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17309Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17310Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17311Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17312Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17313Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17318Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17322Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17327Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17505Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17506Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17507Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17510Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17522Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17527Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17553Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17555Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17559Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17573Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17575Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17576Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503KCS 采用 TO-220 封装的单路、4.5mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504KCS 采用 TO-220 封装的单路、7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18509Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KCS 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KTT 采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18512Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18513Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18514Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532KCS 采用 TO-220 封装的单路、4.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532NQ5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533KCS 采用 TO-220 封装的单路、6.3mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534KCS 采用 TO-220 封装的单路、9.5mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KCS 采用 TO-220 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KCS 采用 TO-220 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KTT 采用 D2PAK 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NKCS 采用 TO-220 封装的单通道、14mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NQ5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18540Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KCS 采用 TO-220 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KTT 采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18543Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18563Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19501KCS 采用 TO-220 封装的单路、6.6mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19503KCS 采用 TO-220 封装的单通道、9.2mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KCS 采用 TO-220 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KCS 采用 TO-220 封装的单通道、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531KCS 采用 TO-220 封装的单通道、7.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532KTT 采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533KCS 采用 TO-220 封装的单通道、10.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534KCS 采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KCS 采用 TO-220 封装的单路、3.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19537Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88537ND 采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88539ND 采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for synchronous boost converter applications.

支持的产品和硬件

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产品
电源块
CSD86330Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86336Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86350Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86356Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86360Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87330Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87331Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87333Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87334Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87335Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87350Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351ZQ5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87352Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87353Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87355Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 45A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87381P 采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87384M 采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87588N 采用 5mm x 2.5mm LGA 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET
N 沟道 MOSFET
CSD13202Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD15571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、19.2mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16321Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16322Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16323Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16325Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16327Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16340Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16342Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16401Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16403Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16404Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、7.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16406Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16407Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16408Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16409Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、12.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16410Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16411Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、15mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16412Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、16mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16413Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16414Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16415Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17301Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17302Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17303Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17304Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17305Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17306Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17307Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17308Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17309Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17310Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17311Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17312Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17313Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17318Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17322Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17327Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17505Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17506Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17507Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17510Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17522Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17527Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17553Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17555Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17559Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17573Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17575Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17576Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503KCS 采用 TO-220 封装的单路、4.5mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504KCS 采用 TO-220 封装的单路、7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18509Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KCS 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KTT 采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18512Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18513Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18514Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532KCS 采用 TO-220 封装的单路、4.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532NQ5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533KCS 采用 TO-220 封装的单路、6.3mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534KCS 采用 TO-220 封装的单路、9.5mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KCS 采用 TO-220 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KCS 采用 TO-220 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KTT 采用 D2PAK 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NKCS 采用 TO-220 封装的单通道、14mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NQ5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18540Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KCS 采用 TO-220 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KTT 采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18543Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18563Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19501KCS 采用 TO-220 封装的单路、6.6mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19503KCS 采用 TO-220 封装的单通道、9.2mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KCS 采用 TO-220 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KCS 采用 TO-220 封装的单通道、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531KCS 采用 TO-220 封装的单通道、7.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532KTT 采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533KCS 采用 TO-220 封装的单通道、10.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534KCS 采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KCS 采用 TO-220 封装的单路、3.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19537Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88537ND 采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88539ND 采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
电源块
CSD86330Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86336Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86350Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86356Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86360Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87330Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87331Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87333Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87334Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87335Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87350Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351ZQ5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87352Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87353Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87355Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 45A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87381P 采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87384M 采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87588N 采用 5mm x 2.5mm LGA 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88584Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块 CSD88599Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
N 沟道 MOSFET
CSD13201W10 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单通道、34mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13202Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13302W 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13303W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单通道、20mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13306W 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13381F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、180mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13383F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13385F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD15380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD15571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、19.2mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16321Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16322Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16323Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16325Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16327Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16340Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16342Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16401Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16403Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16404Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、7.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16406Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16407Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16408Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16409Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、12.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16410Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16411Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、15mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16412Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、16mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16413Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16414Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16415Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16570Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.82mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17301Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17302Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17303Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17304Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17305Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17306Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17307Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17308Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17309Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17310Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17311Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17312Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17313Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17318Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17322Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17327Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17381F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17382F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17483F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17484F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17505Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17506Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17507Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17510Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17522Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17527Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17553Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17555Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17559Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17570Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17573Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17575Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17576Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17585F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503KCS 采用 TO-220 封装的单路、4.5mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504KCS 采用 TO-220 封装的单路、7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18509Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KCS 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KTT 采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18512Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18513Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18514Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532KCS 采用 TO-220 封装的单路、4.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532NQ5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533KCS 采用 TO-220 封装的单路、6.3mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534KCS 采用 TO-220 封装的单路、9.5mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KCS 采用 TO-220 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KCS 采用 TO-220 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KTT 采用 D2PAK 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NKCS 采用 TO-220 封装的单通道、14mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NQ5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18540Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18541F5 采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KCS 采用 TO-220 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KTT 采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18543Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18563Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19501KCS 采用 TO-220 封装的单路、6.6mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19503KCS 采用 TO-220 封装的单通道、9.2mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KCS 采用 TO-220 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KCS 采用 TO-220 封装的单通道、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531KCS 采用 TO-220 封装的单通道、7.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532KTT 采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533KCS 采用 TO-220 封装的单通道、10.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534KCS 采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KCS 采用 TO-220 封装的单路、3.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19537Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD83325L 采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、5.9mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85302L 采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85312Q3E 采用 3mm x 3mm SON 封装的双通道共源极、14mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD86311W1723 采用 1.7mm x 2.3mm WLP 封装的双通道共源极、42mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87312Q3E 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、38mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87313DMS 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87501L 采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87503Q3E 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88537ND 采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88539ND 采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
参考设计

PMP12004-HE — 为 Xilinx Zynq UltraScale+ 远程无线电头端 (RRH) 或回程 (BH) 供电的参考设计

This design for powering Xilinx Zynq UltraScale+ (www.xilinx.com/power) Remote Radio Heads (RRH) features the TPS6508640 and is a small and highly efficient solution. The PMIC reduces size, cost, and power loss by having integrated rails into 1 device, high switching frequency and separate rails (...)
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