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CSD17382F4

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采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 67 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 82 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 2.1 QGD (typ) (nC) 0.63 QGS (typ) (nC) 0.41 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 ID - package limited (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 67 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 82 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 2.1 QGD (typ) (nC) 0.63 QGS (typ) (nC) 0.41 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 ID - package limited (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • 低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 3kV 人体放电模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 3kV 人体放电模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该 30V、54mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能最大限度地减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

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该 30V、54mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能最大限度地减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

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更多文献资料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
设计指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

设计与开发

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支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

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支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件

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仿真模型

CSD17382F4 TINA-TI Spice Model

SLPM202.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
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仿真模型

CSD17382F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM177A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支持的产品和硬件

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计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

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参考设计

TIDA-010085 — 使用数字隔离器的 24VAC 多通道固态继电器参考设计

此参考设计演示了使用单隔离的多通道固态继电器 (SSR)。该设计使用带有单隔离电源的多通道数字隔离器，以及使用公共接地栅极驱动电路来单独控制多个 SSR。该设计适用于额定电流高达 2A 的 24VAC 供电继电器，但可扩展至 240VAC 和更高的额定电流。每个 SSR 通道使用小于 75mm2 的空间，元件的最大高度约为 3mm，与机电继电器相比，可大大节省空间。使用单隔离电源可节省布板空间和 BOM 成本。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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