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CSD87335Q3D

正在供货

采用 3mm x 3mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

产品详情

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 25 Power loss (W) 1.5 Ploss current (A) 15 Features Power supply Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 25 Power loss (W) 1.5 Ploss current (A) 15 Features Power supply Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
LSON-CLIP (DQZ) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • 半桥电源块
  • VIN 高达 27V
  • 15A 电流时系统效率达 93.5%
  • 工作电流高达 25A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
  • 半桥电源块
  • VIN 高达 27V
  • 15A 电流时系统效率达 93.5%
  • 工作电流高达 25A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层

CSD87335Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。

CSD87335Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。

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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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