主页 电源管理 MOSFET

CSD13202Q2

正在供货

采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.3 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 11.6 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 5.1 QGD (typ) (nC) 0.76 QGS (typ) (nC) 0.98 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 14.4 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.3 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 11.6 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 5.1 QGD (typ) (nC) 0.76 QGS (typ) (nC) 0.98 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 14.4 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DQK) 6 4 mm² 2 x 2
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。

此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。

下载 观看带字幕的视频 视频

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同,且具有相同引脚
CSD17318Q2 正在供货 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET Alternate 30 V versus 12 V, higher resistance

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 9
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD13202Q2 12V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2018年 2月 16日
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. G) PDF | HTML 英语版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
应用简报 估算功率 MOSFET 的漏电流 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 11月 7日
应用手册 半导体和 IC 封装热指标 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2024年 4月 24日
应用手册 QFN 和 SON PCB 连接 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2024年 1月 5日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 瞬态热阻抗曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 19日
应用简报 成功并联功率 MOSFET 的技巧 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 6日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 3月 15日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 英语版 2015年 5月 12日

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

仿真模型

CSD13202Q2 TINA-TI Spice Model

SLPM122.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD13202Q2 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM121B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
计算工具

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive

This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

计算工具

SLPR053 Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for synchronous boost converter applications.

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

参考设计

TIDA-00440 — 用于确定绝缘电阻的泄漏电流测量参考设计

该参考设计可测量高达 100MΩ 的绝缘电阻。该参考设计具有一个板载隔离式 500Vdc 电源和一个隔离式信号调节电路,用于测量泄漏电流。该设计对于查找由于变压器和电机绕组中的绝缘击穿而导致的泄露很有用。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-00998 — 适用于高架故障指示灯的能量收集和故障指示灯子系统参考设计

此参考设计展示了多个架构,这些架构可利用从电流互感器 (CT) 或太阳能电池收集能量的二次电池或超级电容器来延长原电池寿命。利用高效的 LED 驱动器来驱动串联或并联的LED,以控制光亮强度,实现 360° 的一致可见性,从而完成最佳电源管理。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01437 — 配备 IO-Link 接口的 RGB 信号灯参考设计

该参考设计实现一款具有 20 个 LED 的五段式 LED 智能塔灯,可用于复杂性更高的工厂车间和工业过程自动化场景。实现了一个 IO-Link 接口来控制塔灯和读回状态信息。本设计具备低功耗特性,可由 IO-Link 接口供电。

本信号灯参考设计演示 RGB LED 驱动器功耗降低 30% 及亮度控制范围扩展的实现方式。自动亮度控制功能,可依据环境光自适应调节亮度。本参考设计采用简易 PWM 调节开关稳压器输出电压,实现动态余量控制。

设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01385 — 带超级电容器的电流互感器能量收集故障指示器参考设计

在故障指示器设计中,能量收集、缓冲及备用电源的电源管理是关键挑战。TIDA-01385 提出一种从电流互感器获取能量的电路方案:为故障指示器系统负载供电的同时,将多余能量存储于超级电容器。系统采用 Li/SOCl2 一次电池作为备用电源,在电网断电后延长故障指示器工作时间。该参考设计可在 3mA 至 2A 输入电流范围内,两秒内为系统负载提供稳定的 3.6V 电压。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-010043 — 适用于 SpO2 和其他医疗应用的高效、高电流、线性 LED 驱动器参考设计

此参考设计提供了一个受保护的高效(余量控制)、高电流(高达 1.5A)、线性(精确且快速)发光二极管 (LED) 驱动器参考设计,可用于周围毛细血管氧饱和度 (SpO2) 和其他医疗应用。典型的 SpO2 应用通过 LED 驱动电流。这些驱动器大多数集成了模拟前端器件,并在 100mA 的典型值下工作。更高的电流驱动对于覆盖宽范围的人类和兽医生理学必不可少。此设计支持自校准,并使用了用于余量控制的查找表来实现对 LED 的最佳驱动,从而更大限度地降低整个控制元件的功率耗散。此设计在 1.8V 至 4.2V 的输入电压范围内运行,并可使 LED 电流高达 1.5A。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-00246 — 热电发生器 (TEG) 的通用能量采集适配器模块参考设计

此 TI 设计旨在为能量收集提供通用解决方案,同时为热电发电机 (TEG) 提供实际应用。它是以 60nA 的电流运行的完全可编程的状态机并可以启用和禁用重要功能,因为系统需要这些功能优化功耗。TIDA-00246 充当 MSP430FR5969 LaunchPad 开发套件 (MSP-EXP430FR5969) 的 BoosterPack,以用作超低功耗状态机。

有关 II-VI Marlow 的详细信息:单击此处

设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WSON (DQK) 6 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频