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12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 9.3 mOhm

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产品详细信息

参数

VDS (V) 12 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 9.3 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 76 QG typ (nC) 5.1 QGD typ (nC) 0.76 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 8 VGSTH typ (V) 0.8 ID, package limited (A) 22 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

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描述

此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 CSD13202Q2 12V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2018年 2月 16日
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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM121A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM122.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
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特性
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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
特性
  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗
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计算工具 下载
SPLR002.ZIP (734 KB)

参考设计

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热电发生器 (TEG) 的通用能量采集适配器模块参考设计
TIDA-00246 — 此 TI 设计旨在为能量收集提供通用解决方案，同时为热电发电机 (TEG) 提供实际应用。它是以 60nA 的电流运行的完全可编程的状态机并可以启用和禁用重要功能，因为系统需要这些功能优化功耗。TIDA-00246 充当 MSP430FR5969 LaunchPad 开发套件 (MSP-EXP430FR5969) 的 BoosterPack，以用作超低功耗状态机。

有关 II-VI Marlow 的详细信息：单击此处。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
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订购与质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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