30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路 SON5x6、12.1mΩ
产品详细信息
参数
特性
- Optimized for 5V Gate Drive
- Ultralow Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
- APPLICATIONS
- Notebook Point of Load
- Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems
描述
The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.
技术文档
= 特色
| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 发布 | |
|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET 数据表 | 2010年 7月 20日 | |
| 技术文章 | Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs | 2019年 2月 7日 | ||
| 应用手册 | QFN and SON PCB Attachment | 2018年 8月 24日 | ||
| 选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. K) | 2018年 7月 31日 | ||
| 技术文章 | When to use load switches in place of discrete MOSFETs | 2016年 2月 3日 | ||
| 技术文章 | 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly | 2015年 10月 8日 | ||
| 应用手册 | 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 | 下载英文版本 | 2015年 5月 12日 |
设计与开发
有关其他条款或所需资源，请点击下面的任何链接来查看详情页面。硬件开发
TPS40195EVM-001
说明
The TPS40195EVM evaluation module (EVM) is a synchronous buck converter providing a fixed 3.3V output at up to 20A from a 12V input bus. The EVM is designed to start up from a single supply, so no additional bias voltage is required for start up. The module uses the TPS40195 Mid-Voltage Synchronous (...)
特性
- 8V to 20V Input Range
- 3.3V Fixed Output
- 20 ADC Steady State Output Current
- 300kHz Switching Frequency
- Two-Layer PCB with all Components on Top Side
- Convenient Test Points for Probing Switching Waveforms and Non-Invasive Loop Response Testing
TPS51116EVM-001
说明
The TPS51116EVM evaluation module (EVM) is a dual-output converter for DDR and DDRII memory modules. It uses a 10 A synchronous buck converter to provide the core voltage (VDDQ) for DDR memory modules. The EVM is designed to use a 4.5 V to 28 V supply voltage and a 4.75 V to (...)
特性
- Up to 85% efficiency on the VDDQ switching regulator output
- Dual switching regulator / LDO output for both DDR core and termination voltages
- ± 3 A sink/source termination voltage LDO regulator
- 10 mA termination reference voltage for DDR input reference
- User selectable DDR and DDRII or externally referenced (...)
TPS51125EVM
说明
TPS51125 是面向笔记本系统电源解决方案的经济高效的双路同步降压控制器。它提供 5V 和 3.3V LDO 并且只需要使用极少的外部组件。270kHz VCLK 输出可用于驱动外部充电泵，在不降低主转换器工作效率的情况下生成用于负载开关的栅极驱动电压。TPS51125 支持高效、快速瞬态响应并提供结合型使能信号。Out-of-Audio™ 模式轻载操作不但实现了低噪声，其效率也远远高于传统强制 PWM。Adaptive on-time D-CAP™ 控制提供了便捷高效的操作。该部件在 5.5V 至 28V 的电源输入电压范围内工作，并支持 2V 至 5.5V 的输出电压。TPS51125EVM 评估模块是高效、双路同步降压转换器，其输入电压范围为 8V 至 25V（电流为 8A），提供的输出电压为 5V 和 3.3V。
TPS51220EVM
说明
TPS51220 是一款具有三个低压降 (LDO) 稳压器的双峰值电流模式、同步降压控制器。它针对 5V/3.3V 笔记本系统电源进行了优化。99% 的工作占空比使设计者能够经济高效地完成 2 节到 4 节的锂离子电池应用。TPS51220 支持高效、快速瞬态响应和 99% 的工作占空比。DCR 电流感应提供了无损电流感应和自由的 MOSFET 选择；电阻感应支持精确的电流感应操作。它支持 4.5V 到 30V 的电源输入电压和 1V 到 12V 的输出电压。大电流、5V @ 100A、3.3V @ 10A、板载线性稳压器具有与 SMPS 的无假信号切换功能，并且 2V 基准具有 100mA 能力。
软件开发
SLPC019.ZIP (338 KB)
设计工具和仿真
SLLM125A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
SLPM201.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
FETPWRCALC
— 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件，按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案，从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
- 针对任意一组输入参数，改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
- 从 TI 控制器预设列表中进行选择，或输入您的自定义 IC
- 按照有效功率损耗对解决方案排序，并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
- 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗，高精度二阶寄生损耗也计算在内
- 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
MOSFET-LOSS-CALC
— MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC
— MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
- Calculates power loss for TI MOSFETs
SLPC015.ZIP (66 KB)
参考设计
PMP30159
— PMP30159 参考设计在 3V 至 13.2V 的输入电压范围内工作，可提供最大为 5V/2A 的输出。启动所需输入电压须大于 4.5V。此参考设计已通过搭建和测试，可提供完整的测试报告。
设计文件
-
download PMP30159 BOM.pdf (80KB) -
download PMP30159 PCB.pdf (52KB) -
download PMP30159 CAD Files.zip (105KB) -
download PMP30159 Gerber.zip (65KB)
CAD/CAE 符号
| 封装 | 引脚 | 下载 |
|---|---|---|
| (DQJ) | 8 | 视图选项 |