可提供此产品的更新版本

open-in-new 比较产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
CSD17579Q5A 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has similar resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 12.1 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 92 QG typ (nC) 4 QGD typ (nC) 1 QGS typ (nC) 1.3 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 73 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 12.1 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 92 QG typ (nC) 4 QGD typ (nC) 1 QGS typ (nC) 1.3 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 73 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems

The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

下载

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 11
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET 数据表 (Rev. A) 2010年 7月 20日
应用手册 MOSFET Support and Training Tools (Rev. A) PDF | HTML 2022年 11月 4日
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 2018年 8月 24日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日
应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

TPS40195EVM-001 — TPS40195 20V 输入、3.3V 输出、20A 评估模块

The TPS40195EVM evaluation module (EVM) is a synchronous buck converter providing a fixed 3.3V output at up to 20A from a 12V input bus. The EVM is designed to start up from a single supply, so no additional bias voltage is required for start up. The module uses the TPS40195 Mid-Voltage (...)
用户指南: PDF | HTML
下载英文版本 (Rev.B): PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

TPS51116EVM-001 — TPS51116 存储器电源解决方案,同步降压控制器评估模块

The TPS51116EVM evaluation module (EVM) is a dual-output converter for DDR and DDRII memory modules. It uses a 10 A synchronous buck converter to provide the core voltage (VDDQ) for DDR memory modules. The EVM is designed to use a 4.5 V to 28 V supply voltage and a 4.75 V to (...)

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

TPS51125EVM — TPS51125 评估模块

TPS51125 是面向笔记本系统电源解决方案的经济高效的双路同步降压控制器。它提供 5V 和 3.3V LDO 并且只需要使用极少的外部组件。270kHz VCLK 输出可用于驱动外部充电泵,在不降低主转换器工作效率的情况下生成用于负载开关的栅极驱动电压。TPS51125 支持高效、快速瞬态响应并提供结合型使能信号。Out-of-Audio™ 模式轻载操作不但实现了低噪声,其效率也远远高于传统强制 PWM。Adaptive on-time D-CAP™ 控制提供了便捷高效的操作。该部件在 5.5V 至 28V 的电源输入电压范围内工作,并支持 2V 至 5.5V (...)
用户指南: PDF | HTML
下载英文版本 (Rev.B): PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

TPS51220EVM — 使用 TPS51220 评估模块的 TPS51220EVM 高性能同步降压

TPS51220 是一款具有三个低压降 (LDO) 稳压器的双峰值电流模式、同步降压控制器。它针对 5V/3.3V 笔记本系统电源进行了优化。99% 的工作占空比使设计者能够经济高效地完成 2 节到 4 节的锂离子电池应用。TPS51220 支持高效、快速瞬态响应和 99% 的工作占空比。DCR 电流感应提供了无损电流感应和自由的 MOSFET 选择;电阻感应支持精确的电流感应操作。它支持 4.5V 到 30V 的电源输入电压和 1V 到 12V 的输出电压。大电流、5V @ 100A、3.3V @ 10A、板载线性稳压器具有与 SMPS 的无假信号切换功能,并且 2V 基准具有 100mA (...)

用户指南: PDF | HTML
下载英文版本 (Rev.B): PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

CSD17307Q5A TINA-TI Spice Model

SLPM201.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD17307Q5A Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLLM125A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计

PMP30159 — 3V 至 13.2V 输入电压、5V/5A 输出 SEPIC 参考设计

PMP30159 参考设计在 3V 至 13.2V 的输入电压范围内工作,可提供最大为 5V/2A 的输出。启动所需输入电压须大于 4.5V。此参考设计已通过搭建和测试,可提供完整的测试报告。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频