CSD17307Q5A

Name: CSD17307Q5A
Brand: TI
SKU: CSD17307Q5A
Price: .198 USD

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30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 12.1 mOhm

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30-V N-Channel NexFET Power MOSFET 数据表 (英文內容)

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30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 12.1 mOhm

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产品详细信息

参数

VDS (V)

Configuration

Single

Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

12.1

IDM, max pulsed drain current (Max) (A)

QG typ (nC)

QGD typ (nC)

Package (mm)

SON5x6

VGS (V)

VGSTH typ (V)

1.3

ID, silicon limited at Tc=25degC (A)

Logic level

Yes

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特性

Optimized for 5V Gate Drive
Ultralow Q_g and Q_gd
Low Thermal Resistance
Avalanche Rated
Pb Free Terminal Plating
RoHS Compliant
Halogen Free
SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
APPLICATIONS
- Notebook Point of Load
- Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems

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描述

The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

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设计与开发

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硬件开发

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说明

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特性

8V to 20V Input Range
3.3V Fixed Output
20 ADC Steady State Output Current
300kHz Switching Frequency
Two-Layer PCB with all Components on Top Side
Convenient Test Points for Probing Switching Waveforms and Non-Invasive Loop Response Testing

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特性

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10 mA termination reference voltage for DDR input reference
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使用 TPS51220 评估模块的 TPS51220EVM 高性能同步降压

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说明

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