30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 12.1 mOhm
产品详细信息
参数
特性
- Optimized for 5V Gate Drive
- Ultralow Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
- APPLICATIONS
- Notebook Point of Load
- Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems
描述
The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.
功能和引脚相同,但与相比较的设备不等效:
技术文档
类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |
---|---|---|---|---|
* | 数据表 | 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET 数据表 | 2010年 7月 20日 | |
技术文章 | Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs | 2019年 2月 7日 | ||
应用手册 | QFN and SON PCB Attachment | 2018年 8月 24日 | ||
选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. K) | 2018年 7月 31日 | ||
选择指南 | 电源管理指南 2018 | 2018年 6月 25日 | ||
技术文章 | When to use load switches in place of discrete MOSFETs | 2016年 2月 3日 | ||
技术文章 | 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly | 2015年 10月 8日 | ||
应用手册 | 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 | 下载英文版本 | 2015年 5月 12日 |
设计与开发
有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。硬件开发
说明
特性
- 8V to 20V Input Range
- 3.3V Fixed Output
- 20 ADC Steady State Output Current
- 300kHz Switching Frequency
- Two-Layer PCB with all Components on Top Side
- Convenient Test Points for Probing Switching Waveforms and Non-Invasive Loop Response Testing
说明
The TPS51116EVM evaluation module (EVM) is a dual-output converter for DDR and DDRII memory modules. It uses a 10 A synchronous buck converter to provide the core voltage (VDDQ) for DDR memory modules. The EVM is designed to use a 4.5 V to 28 V supply voltage and a 4.75 V to (...)
特性
- Up to 85% efficiency on the VDDQ switching regulator output
- Dual switching regulator / LDO output for both DDR core and termination voltages
- ± 3 A sink/source termination voltage LDO regulator
- 10 mA termination reference voltage for DDR input reference
- User selectable DDR and DDRII or externally referenced (...)
说明
说明
TPS51220 是一款具有三个低压降 (LDO) 稳压器的双峰值电流模式、同步降压控制器。它针对 5V/3.3V 笔记本系统电源进行了优化。99% 的工作占空比使设计者能够经济高效地完成 2 节到 4 节的锂离子电池应用。TPS51220 支持高效、快速瞬态响应和 99% 的工作占空比。DCR 电流感应提供了无损电流感应和自由的 MOSFET 选择;电阻感应支持精确的电流感应操作。它支持 4.5V 到 30V 的电源输入电压和 1V 到 12V 的输出电压。大电流、5V @ 100A、3.3V @ 10A、板载线性稳压器具有与 SMPS 的无假信号切换功能,并且 2V 基准具有 100mA 能力。
软件开发
设计工具和仿真
特性
- 计算 TI MOSFET 的功率损耗
特性
- Calculates power loss for TI MOSFETs
特性
- 计算 TI MOSFET 的功率损耗
参考设计
设计文件
-
download PMP30159 BOM.pdf (80KB) -
download PMP30159 PCB.pdf (52KB) -
download PMP30159 CAD Files.zip (105KB) -
download PMP30159 Gerber.zip (65KB)
CAD/CAE 符号
封装 | 引脚 | 下载 |
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(DQJ) | 8 | 了解详情 |
订购与质量
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/FIT 估算
- 材料成分
- 认证摘要
- 持续可靠性监测
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