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产品详细信息

参数

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 15.5 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 85 QG typ (nC) 2.8 QGD typ (nC) 0.8 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.6 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 65 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定
  • 无铅终端镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装
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描述

此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计。

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技术文档

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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM030A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
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参考设计

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CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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