CSD19536KTT

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采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.4 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 118 QGD (typ) (nC) 17 QGS (typ) (nC) 37 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 272 ID - package limited (A) 200 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 175 Rating Catalog
VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.4 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 118 QGD (typ) (nC) 17 QGS (typ) (nC) 37 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 272 ID - package limited (A) 200 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 175 Rating Catalog
TO-263 (KTT) 3 154.8384 mm² 10.16 x 15.24
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

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