返回页首

产品详细信息

参数

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 181 QG typ (nC) 14.1 QGD typ (nC) 3 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems

open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

描述

The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管
下载
您可能感兴趣的类似产品
open-in-new 产品比较
功能和引脚相同,但与相比较的设备不等效:
CSD17581Q5A 正在供货 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm This product has similar resistance and a lower price.

技术文档

star = TI 精选相关文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看所有 8
类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 30V N Channel NexFET Power MOSFET 数据表 (Rev. A) 2010年 7月 20日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) 2018年 8月 24日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计与开发

有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。

硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
49
说明

TPS51200EVM 评估板(即 HPA322A)用于评估成本优化的 TI DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终止稳压器(即 TPS51200)的性能和特性。TPS51200 用于提供合适的终止电压并为具有最少外部组件的 DDR 存储器(包括 DDR (2.5 V/1.25 V)、DDR2 (1.8 V/0.9 V)、DDR3 (1.5 V/0.75 V)、LP DDR3 (1.2 V/0.6 V) 等规格)提供 10mA 缓冲参考电压。

特性
  • 输入电压:支持 2.5V 电压轨和 3.3V 电压轨
  • VLDOIN、VDDQ 电压范围:1.2V-2.5V
  • 具有吸入和输出功能的内置瞬态负载开关可模拟吸入/输出瞬态行为,从而帮助评估动态性能。为了方面使用,瞬态载荷级和定时都能通过板载电阻修改,同时也能在电路板上监控电流信息。
    • DDR:+/-1.67A 吸入/输出瞬态负载
    • DDR2:+/-1.2A 吸入/输出瞬态负载
    • DDR3:+/-1.0A 吸入/输出瞬态负载
    • LP DDR3:+/-0.8A 吸入/输出瞬态负载
  • 具有启用功能的转换开关 S1
  • 便捷的测试点,用于探测 PGOOD、CLK_IN 和环路响应测试
  • 2 层 PCB,所有组件都位于底部

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
MOSFET-LOSS-CALC MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具 下载
MOSFET power loss calculator for motor drive applications
MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
特性
  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
MOSFET power loss calculator for synchronous buck converter applications
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
特性
  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗
计算工具 下载
SPLR002.ZIP (734 KB)

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品的参数、评估模块或参考设计可能与此 TI 产品相关

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供,并不构成 TI 规范。参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持

视频