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VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 181 QG typ (nC) 14.1 QGD typ (nC) 3 QGS typ (nC) 4.5 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 181 QG typ (nC) 14.1 QGD typ (nC) 3 QGS typ (nC) 4.5 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
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The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

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