产品详细信息

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 181 QG typ (nC) 14.1 QGD typ (nC) 3 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 181 QG typ (nC) 14.1 QGD typ (nC) 3 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
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  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems

The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

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设计与开发

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评估板

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TPS51200EVM 评估板(即 HPA322A)用于评估成本优化的 TI DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终止稳压器(即 TPS51200)的性能和特性。TPS51200 用于提供合适的终止电压并为具有最少外部组件的 DDR 存储器(包括 DDR (2.5 V/1.25 V)、DDR2 (1.8 V/0.9 V)、DDR3 (1.5 V/0.75 V)、LP DDR3 (1.2 V/0.6 V) 等规格)提供 10mA 缓冲参考电压。

现货
数量限制: 3
支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch

SLPC019.ZIP (338 KB)
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封装 引脚 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品的参数、评估模块或参考设计可能与此 TI 产品相关

支持与培训

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