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产品详细信息

参数

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.6 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 181 QG typ (nC) 14.1 QGD typ (nC) 3 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems

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描述

The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 30V N Channel NexFET Power MOSFET 数据表 2010年 7月 20日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment 2018年 8月 24日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
$49.00
说明

TPS51200EVM 评估板(即 HPA322A)用于评估成本优化的 TI DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终止稳压器(即 TPS51200)的性能和特性。TPS51200 用于提供合适的终止电压并为具有最少外部组件的 DDR 存储器(包括 DDR (2.5 V/1.25 V)、DDR2 (1.8 V/0.9 V)、DDR3 (1.5 V/0.75 V)、LP DDR3 (1.2 V/0.6 V) 等规格)提供 10mA 缓冲参考电压。

特性
  • 输入电压:支持 2.5V 电压轨和 3.3V 电压轨
  • VLDOIN、VDDQ 电压范围:1.2V-2.5V
  • 具有吸入和输出功能的内置瞬态负载开关可模拟吸入/输出瞬态行为,从而帮助评估动态性能。为了方面使用,瞬态载荷级和定时都能通过板载电阻修改,同时也能在电路板上监控电流信息。
    • DDR:+/-1.67A 吸入/输出瞬态负载
    • DDR2:+/-1.2A 吸入/输出瞬态负载
    • DDR3:+/-1.0A 吸入/输出瞬态负载
    • LP DDR3:+/-0.8A 吸入/输出瞬态负载
  • 具有启用功能的转换开关 S1
  • 便捷的测试点,用于探测 PGOOD、CLK_IN 和环路响应测试
  • 2 层 PCB,所有组件都位于底部

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
MOSFET-LOSS-CALC MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
SLPC015.ZIP (66 KB)

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 视图选项

订购与质量

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

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