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MOSFET
N 沟道 MOSFET

CSD17304Q3

正在供货

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD17578Q3A 正在供货 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has similar resistance and a lower price.

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产品详情

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 8.8 IDM - pulsed drain current (max) (A) 88 QG (typ) (nC) 5.1 QGD (typ) (nC) 1.1 QGS (typ) (nC) 1.8 VGS (V) 10 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 60 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 8.8 IDM - pulsed drain current (max) (A) 88 QG (typ) (nC) 5.1 QGD (typ) (nC) 1.1 QGS (typ) (nC) 1.8 VGS (V) 10 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 60 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSON-CLIP (DQG) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom,
      and Computing Systems

NexFET is a trademark of Texas Instruments.
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom,
      and Computing Systems

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.
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设计和开发

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评估板

TPS65090EVM — 具有用于 2-3 节串联电池的开关模式充电器的前端 PMU 评估模块板

TPS65090EVM 前端 PMU 带有开关模式充电器，适用于 2-3 节串联电池评估模块板

德州仪器 (TI) TPS65090 前端电源管理集成电路的评估模块。该 EVM 允许评估 TPS65090 集成高输入电压 (6V-17V) 充电器/电源路径管理。
用户指南: PDF
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支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

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仿真模型

CSD17304Q3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLLM118A.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
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这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

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Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

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SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
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快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
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SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
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参考设计

TIDA-01379 — 瞬态负载发生器参考设计

TIDA-01379 参考设计可产生用于评估转换器稳定性所需的快速负载瞬态信号。电路板包含三个经过调节或未经调节的可分离负载瞬态发生器，并能够支持不同的负载配置。负载可以是以地为基准的负载或是浮动负载。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
VSON-CLIP (DQG) 8 了解详情
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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

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