产品详细信息

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 8.8 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 88 QG typ (nC) 5.1 QGD typ (nC) 1.1 QGS typ (nC) 1.8 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 60 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 8.8 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 88 QG typ (nC) 5.1 QGD typ (nC) 1.1 QGS typ (nC) 1.8 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 60 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom,
      and Computing Systems

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom,
      and Computing Systems

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

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