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产品详细信息

参数

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.5 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 131 QG typ (nC) 6.5 QGD typ (nC) 1.2 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 0.85 ID, package limited (A) 100 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • 针对 5V 栅极驱动而优化
  • VGS = 2.5V 时的额定电阻值
  • 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
  • 低热电阻
  • 额定雪崩能量
  • 无铅端子封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无引线小外形尺寸 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
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描述

此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化。

在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上,RθJA = 40°C/W (典型值)。脉宽 ≤300μs,占空比 ≤2%
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技术文档

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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM035A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM052.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
MOSFET-LOSS-CALC MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
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特性
  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗
计算工具 下载
SPLR002.ZIP (734 KB)

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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