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VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.5 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 131 QG typ (nC) 6.5 QGD typ (nC) 1.2 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 0.85 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 21 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.5 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 131 QG typ (nC) 6.5 QGD typ (nC) 1.2 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 0.85 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 21 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • 针对 5V 栅极驱动而优化
  • VGS = 2.5V 时的额定电阻值
  • 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
  • 低热电阻
  • 额定雪崩能量
  • 无铅端子封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无引线小外形尺寸 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动而优化
  • VGS = 2.5V 时的额定电阻值
  • 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
  • 低热电阻
  • 额定雪崩能量
  • 无铅端子封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无引线小外形尺寸 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化。

在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上,RθJA = 40°C/W (典型值)。脉宽 ≤300μs,占空比 ≤2%

此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化。

在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上,RθJA = 40°C/W (典型值)。脉宽 ≤300μs,占空比 ≤2%

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