返回页首

产品详细信息

参数

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 12.4 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 8.2 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 90 QG typ (nC) 4 QGD typ (nC) 1 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 16 VGSTH typ (V) 2 ID, package limited (A) 60 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3mm x 3.3mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications
      in Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

描述

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管
下载

技术文档

= 特色
未找到结果。请清除搜索,并重试。 查看所有 9
类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 N-Channel NexFET™ Power MOSFETs, CSD16409Q3 数据表 2010年 5月 21日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment 2018年 8月 24日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 2018年 6月 25日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日
更多文献资料 NexFET 功率 MOSFET 2009年 7月 29日

设计与开发

有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。

软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)
支持软件 下载
SPLC001A.ZIP (311 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLLM111B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLPM065.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
MOSFET-LOSS-CALC MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具 下载
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特性
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
计算工具 下载
SLPC015.ZIP (66 KB)

参考设计

参考设计 下载
适用于电信应用的参考设计 (0.9V@0.5A)
PMP4742 PMP4742.1 包含具有 TPS40210 的负输入(-10.8V 至 -13.2V)到正输出(平均值 12V@1A)逆变降压升压转换器;具有 TPS2420 的热交换电路可快速将输出电流限制到 2A 峰值。
参考设计 下载
17VDC-32VDC 输入、3.3V/10W 有源钳位正向
PMP7357 — 此参考设计可使用 UCC2897A 从 17Vdc 至 32Vdc 输入创建 3.3V/3.5A 隔离型输出,以控制有源钳位正向转换器。此设计中仅使用了陶瓷电容,可确保极高的可靠度。对于同步整流,使用了 2 个 CSD16409Q3 NexFET,可改善效率。
参考设计 下载
参考设计 下载
参考设计 下载
Negative sync buck -2.2V@6A
PMP5165 — This “upside-down” synchronous buck regulates a -2.2V output @ 6A from a -5.2 input voltage and achieves a full load efficiency of 93%. Level shifting in the feedback is necessary to maintain regulation.
参考设计 下载
non-isolated synch buck with VID interface 0.7…0.9V@6.0A
PMP4709 — 此同步降压转换器具有 0.7 至 0.9V(6A)的可调节输出电压。输出电压通过 4 位 VID 接口进行调节。输入电压范围为 7 至 14V DC。
参考设计 下载
参考设计 下载
可提供 3.3V@16A 输出的 TPS40304 降压稳压器参考设计
PMP4713 — PMP4713 is a single-phase synchronous switching regulator accepting an input voltage range of 7.0Vin to 14.0Vin and providing an output voltage of 3.3Vout capable of supplying 16A of current.

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DQG) 8 了解详情

订购与质量

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供,并不构成 TI 规范。参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持