产品详细信息

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 12.4 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 8.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 90 QG typ (nC) 4 QGD typ (nC) 1 QGS typ (nC) 2.1 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 16 VGSTH typ (V) 2 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 60 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 12.4 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 8.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 90 QG typ (nC) 4 QGD typ (nC) 1 QGS typ (nC) 2.1 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 16 VGSTH typ (V) 2 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 60 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3mm x 3.3mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications
      in Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3mm x 3.3mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications
      in Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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