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25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 15 mOhm

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产品详细信息

参数

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 15 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 10 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 138 QG typ (nC) 2.9 QGD typ (nC) 0.7 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 16 VGSTH typ (V) 2 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 56 ID, package limited (A) 60 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low-Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control FET Applications

All other trademarks are the property of their respective owners

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描述

This 25-V, 8-mΟ, 3.3-mm × 3.3-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
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CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
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订购与质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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