CSD18514Q5A

Name: CSD18514Q5A
Brand: TI
SKU: CSD18514Q5A
Price: .243 USD

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

立即订购

数据表

CSD18514Q5A

正在供货

数据表

立即订购

产品详情

VDS (V)

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

7.9

Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)

4.9

IDM - pulsed drain current (max) (A)

237

QG (typ) (nC)

QGD (typ) (nC)

QGS (typ) (nC)

VGS (V)

VGSTH typ (typ) (V)

1.8

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

ID - package limited (A)

Logic level

Yes

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

Rating

Catalog

VDS (V)

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

7.9

Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)

4.9

IDM - pulsed drain current (max) (A)

237

QG (typ) (nC)

QGD (typ) (nC)

QGS (typ) (nC)

VGS (V)

VGSTH typ (typ) (V)

1.8

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

ID - package limited (A)

Logic level

Yes

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

Rating

Catalog

VSONP (DQJ)

29.4 mm² 4.9 x 6

低 R_DS(ON)
低热阻
雪崩额定值
逻辑电平
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

低 R_DS(ON)
低热阻
雪崩额定值
逻辑电平
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、4.1mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

open-in-new

查找其他 N 沟道 MOSFET

下载观看带字幕的视频视频

技术文档

star

=有关此产品的 TI 精选热门文档

未找到结果。请清除搜索，并重试。

查看全部 9

	类型	项目标题		下载最新的英语版本		日期
*	数据表	CSD18514Q5A 40V N 沟道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)	PDF \| HTML	下载英文版本 (Rev.A)	PDF \| HTML	2017年 3月 6日
	应用手册	MOSFET 支持和培训工具 (Rev. B)	PDF \| HTML	下载英文版本 (Rev.B)	PDF \| HTML	2023年 4月 13日
	应用手册	在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线	PDF \| HTML	下载英文版本	PDF \| HTML	2023年 3月 15日
	应用手册	Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs	PDF \| HTML			2022年 5月 31日
	技术文章	Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs				2019年 2月 8日
	应用手册	QFN and SON PCB Attachment (Rev. B)	PDF \| HTML			2018年 8月 24日
	应用手册	Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C)	PDF \| HTML			2016年 4月 19日
	技术文章	When to use load switches in place of discrete MOSFETs				2016年 2月 3日
	技术文章	48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly				2015年 10月 8日

设计和开发

如需其他信息或资源，请查看下方列表，点击标题即可进入详情页面。

支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)

下载

仿真模型

CSD18514Q5A Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM327B.ZIP (4 KB) - PSpice Model

下载

计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

下载

计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

下载

计算工具

Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

SLPR053.ZIP (909 KB)

下载

计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

下载

计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

下载

计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

了解详情

参考设计

PMP40569 — 具有同步整流功能的 36~57Vdc 输入、5V/4A 输出、隔离式反激式转换器参考设计

此参考设计是一款采用 LM5155 和 UCC24612 的隔离型反激式转换器，具有 36~57Vdc 输入和 5V/4A 输出。开关频率为 250kHz。通过在次级侧配置同步整流控制器 UCC24612 和 MOSFET，该系统可在 36V 输入下实现 89.29% 的峰值效率，比肖特基整流高 3.86%。MOSFET 经整流后在满负载输出下的温度低于肖特基整流，为 33°C。负载调节在整个输入范围内低于 ±0.5%。

测试报告: PDF

原理图: PDF

参考设计

TIDA-010031 — 25.2V、30A 高速无传感器 (> 100krpm) 无刷直流电机驱动器参考设计

该参考设计用于对输出功率高达 900W、转速高达 180,000rpm（实验验证转速可达 100,000rpm）的 6-33.6V 直流馈送无刷直流 (BLDC) 电机进行高速无传感器梯形控制。这是一款具有成本效益的智能微控制器，具备通信点硬件探测功能，通过使用转速自适应反电动势 (BEMF) 探测加速无传感器梯形控制。BLDC 功率级紧凑，经优化后效率进一步提高，并且因智能三相栅极驱动器而具有短路、电机堵转和过热保护。

设计指南: PDF

原理图: PDF