产品详细信息

VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 7.9 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 237 QG typ (nC) 29 QGD typ (nC) 5 QGS typ (nC) 6 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 89 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes
VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 7.9 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 237 QG typ (nC) 29 QGD typ (nC) 5 QGS typ (nC) 6 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 89 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、4.1mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、4.1mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

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* 数据表 CSD18514Q5A 40V N 沟道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 06 Mar 2017
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设计和开发

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仿真模型

CSD18514Q5A Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM327B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
参考设计

PMP40569 — 36~57-Vdc input, 5-V/4-A output isolated flyback with synchronous rectification reference design

此参考设计是一款采用 LM5155 和 UCC24612 的隔离型反激式转换器,具有 36~57Vdc 输入和 5V/4A 输出。开关频率为 250kHz。通过在次级侧配置同步整流控制器 UCC24612 和 MOSFET,该系统可在 36V 输入下实现 89.29% 的峰值效率,比肖特基整流高 3.86%。MOSFET 经整流后在满负载输出下的温度低于肖特基整流,为 33°C。负载调节在整个输入范围内低于 ±0.5%。
原理图: PDF
参考设计

TIDA-010031 — 25.2V、30A 高速无传感器 (> 100krpm) 无刷直流电机驱动器参考设计

该参考设计用于对输出功率高达 900W、转速高达 180,000rpm(实验验证转速可达 100,000rpm)的 6-33.6V 直流馈送无刷直流 (BLDC) 电机进行高速无传感器梯形控制。这是一款具有成本效益的智能微控制器,具备通信点硬件探测功能,通过使用转速自适应反电动势 (BEMF) 探测加速无传感器梯形控制。BLDC 功率级紧凑,经优化后效率进一步提高,并且因智能三相栅极驱动器而具有短路、电机堵转和过热保护。
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频