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N 沟道 MOSFET

CSD16556Q5B

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详细信息

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 1.5 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 1.07 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 37 QGD typ (nC) 13 QGS typ (nC) 12 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.4 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 263 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 1.5 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 1.07 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 37 QGD typ (nC) 13 QGS typ (nC) 12 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.4 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 263 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • 超低电阻
  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 超低电阻
  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化

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这款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。

这款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。

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设计和开发

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支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
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仿真模型

CSD16556Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM068B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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SLPR053.ZIP (909 KB)
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快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
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适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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