25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.5 mOhm
产品详细信息
参数
特性
- 超低电阻
- 超低 Qg和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
应用范围
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化
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描述
这款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
技术文档
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设计与开发
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SLPC019.ZIP (338 KB)
设计工具和仿真
SLPM068A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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特性
- 计算 TI MOSFET 的功率损耗
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特性
- Calculates power loss for TI MOSFETs
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
特性
- 计算 TI MOSFET 的功率损耗
SPLR002.ZIP (734 KB)
CAD/CAE 符号
| 封装 | 引脚 | 下载 |
|---|---|---|
| (DNK) | 8 | 了解详情 |
订购与质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/FIT 估算
- 材料成分
- 认证摘要
- 持续可靠性监测
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