产品详细信息

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 1.5 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 1.07 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 37 QGD typ (nC) 13 QGS typ (nC) 12 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.4 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 263 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 1.5 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 1.07 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 37 QGD typ (nC) 13 QGS typ (nC) 12 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.4 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 263 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • 超低电阻
  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 超低电阻
  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化

All trademarks are the property of their respective owners.

这款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。

这款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。

下载

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
CSD17556Q5B 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET Alternate 30 V versus 25 V, higher resistance

技术文档

star = 有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 12
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD16556Q5B 25V N 沟道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.C) PDF | HTML 21 Jul 2015
应用手册 MOSFET Support and Training Tools PDF | HTML 29 Aug 2022
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31 May 2022
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 08 Feb 2019
应用手册 QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 24 Aug 2018
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 31 Jul 2018
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 25 Jun 2018
技术文章 How to select a MOSFET - Hot Swap 06 Apr 2018
应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 19 Apr 2016
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 03 Feb 2016
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 08 Oct 2015
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 12 May 2015

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

仿真模型

CSD16556Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM068B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
封装 引脚数 下载
(DNK) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频