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CSD18535KTT

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采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.9 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 63 QGD (typ) (nC) 10.4 QGS (typ) (nC) 15.7 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 279 ID - package limited (A) 200 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 175 Rating Catalog
VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.9 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 63 QGD (typ) (nC) 10.4 QGS (typ) (nC) 15.7 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 279 ID - package limited (A) 200 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 175 Rating Catalog
TO-263 (KTT) 3 154.8384 mm² 10.16 x 15.24
  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

应用

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

应用

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

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这款 60V、1.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

这款 60V、1.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

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设计和开发

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评估板

PFCLLCSREVM034 — UCC28056B、UCC256404 和 UCC24624 交流至隔离式 DC EVM

PFCLLCSREVM034 是一个 168W 交流/直流电源，包含转换模式功率因数校正前端以及具有同步整流功能的隔离式半桥 LLC 谐振转换器。此 EVM 可接受 90Vrms 至 264Vrms 的交流输入，并且输出电压为 12VDC，满负载输出功率为 168W。

用户指南: PDF
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支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

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MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

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SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
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  • 引脚镀层/焊球材料
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  • MTBF/时基故障估算
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