产品详细信息

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4.2 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 3.4 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 256 QG typ (nC) 20 QGD typ (nC) 4 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 123 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4.2 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 3.4 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 256 QG typ (nC) 20 QGD typ (nC) 4 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 123 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻抗
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了 优化

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻抗
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了 优化

All trademarks are the property of their respective owners.

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 30V、2.9mΩ、 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 30V、2.9mΩ、 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

下载

技术文档

star = TI 精选相关文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
显示全部 6 项
类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 CSD17581Q5A 30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 下载英文版本 2016年 10月 17日
技术文章 How to choose the right power MOSFET or power block package for your application 2019年 10月 29日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) 2018年 8月 24日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

设计与开发

有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。

支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch

SLPC019.ZIP (338 KB)
仿真模型

CSD17581Q5A Unencrypted PSpice Model

SLPM342.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for synchronous buck converter applications

适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
封装 引脚 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品的参数、评估模块或参考设计可能与此 TI 产品相关

支持与培训

视频