产品详细信息

VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 6.2 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.3 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 26 QGD typ (nC) 4.3 QGS typ (nC) 4.5 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 120 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 6.2 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.3 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 26 QGD typ (nC) 4.3 QGS typ (nC) 4.5 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 120 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流
  • 电池电机控制

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流
  • 电池电机控制

All trademarks are the property of their respective owners.

这款 40V、3.4mΩ、5mm x 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

这款 40V、3.4mΩ、5mm x 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

下载

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
CSD18513Q5A 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

技术文档

star = 有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 10
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD18503Q5A 40V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.C) PDF | HTML 13 Jul 2015
应用手册 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31 May 2022
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 08 Feb 2019
应用手册 QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 24 Aug 2018
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 31 Jul 2018
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 25 Jun 2018
应用手册 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 19 Apr 2016
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 03 Feb 2016
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 08 Oct 2015
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 12 May 2015

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

仿真模型

CSD18503Q5A Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM041B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
仿真模型

CSD18503Q5A TINA-TI Spice Model

SLPM087.TSM (16 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
许多 TI 参考设计都包括 CSD18503Q5A

通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

封装 引脚数 下载
(DQJ) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频