CSD18503Q5A

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD18513Q5A 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.2 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.3 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 26 QGD (typ) (nC) 4.3 QGS (typ) (nC) 4.5 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 120 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.2 Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.3 IDM - pulsed drain current (max) (A) 400 QG (typ) (nC) 26 QGD (typ) (nC) 4.3 QGS (typ) (nC) 4.5 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 1.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 120 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流
  • 电池电机控制

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流
  • 电池电机控制

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这款 40V、3.4mΩ、5mm x 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

这款 40V、3.4mΩ、5mm x 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

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设计和开发

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仿真模型

CSD18503Q5A TINA-TI Spice Model

SLPM087.TSM (16 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD18503Q5A Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM041B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
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这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
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快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
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SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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支持与培训

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