产品详细信息

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 32 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 20 QG typ (nC) 2.1 QGD typ (nC) 0.4 QGS typ (nC) 0.7 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 19 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes
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  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free
  • SON 2-mm × 2-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • DC-DC Converters
    • Battery and Load Management Applications

All other trademarks are the property of their respective owners

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This 30-V, 24-mΩ, 2-mm × 2-mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5-V gate drive applications. The 2-mm × 2-mm SON offers excellent thermal performance for the size of the package.

This 30-V, 24-mΩ, 2-mm × 2-mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5-V gate drive applications. The 2-mm × 2-mm SON offers excellent thermal performance for the size of the package.

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