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CSD17577Q3A 正在供货 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has similar resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.5 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 115 QG typ (nC) 6.5 QGD typ (nC) 1.2 QGS typ (nC) 2.1 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 0.85 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 21 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.5 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 115 QG typ (nC) 6.5 QGD typ (nC) 1.2 QGS typ (nC) 2.1 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 0.85 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 21 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Resistance Rated at VGS =2.5 V
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic
    Package
  • APPLICATIONS
    • Point of Load Synchronous
      Buck Converter for Applications
      in Networking, Telecom, and
      Computing Systems
    • Optimized for Control
      or Synchronous FET
      Applications

  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Resistance Rated at VGS =2.5 V
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic
    Package
  • APPLICATIONS
    • Point of Load Synchronous
      Buck Converter for Applications
      in Networking, Telecom, and
      Computing Systems
    • Optimized for Control
      or Synchronous FET
      Applications

This 25 V, 3.8 mΩ, 3.3 × 3.3 mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5 V gate drive applications.

This 25 V, 3.8 mΩ, 3.3 × 3.3 mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5 V gate drive applications.

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类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
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设计和开发

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仿真模型

CSD16340Q3 TINA-TI Spice Model

SLIM145.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD16340Q3 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLLM127B.ZIP (8 KB) - PSpice Model
计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
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SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计

TIDA-01413 — 具有两个 4Gbps 四通道解串器的 ADAS 8 通道传感器融合集线器参考设计

此传感器融合集线器参考设计最多允许通过同轴电缆连接 4 个 200 万像素摄像头和 4 个雷达模块。该设计利用这些同轴电缆为传感器提供电源、反向通道通信和时钟同步。两个 4Gbps FPD-Link III 四通道解串器支持通过 Samtec 连接器将移动行业处理器接口 (MIPI) 摄像头串行接口 2 (CSI-2) 的双路输出连接到应用处理器。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP30284 — 微型 LED 驱动器参考设计

此参考设计包含一个独特的 LED 驱动器,该驱动器由单个或两个锂离子电池供电。SEPIC 拓扑中的电路支持低至 1.8V 到 8.4V 的输入电压。可选择 TPS43000 用于处理低输入电压。分流电阻和运算放大器 (TLV6001U) 电路带有电流调节功能。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
(DQG) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频