主页 电源管理 MOSFET
主页
电源管理
MOSFET

CSD85312Q3E

正在供货

采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、14mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

立即订购
数据表

CSD85312Q3E

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.7 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 39 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.7 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 39 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON (DPA) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • 共源连接
  • 超低漏极到漏极导通电阻
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子电镀
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
  • 共源连接
  • 超低漏极到漏极导通电阻
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子电镀
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护

CSD85312Q3E 是一款设计用于适配器或 USB 输入保护的 20V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻，这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。

CSD85312Q3E 是一款设计用于适配器或 USB 输入保护的 20V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻，这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。
filter 查找其他 MOSFET
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 8
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 双路20V N 通道NextFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 数据表 英语版 PDF | HTML 2013年 11月 30日
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. G) PDF | HTML 英语版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
应用简报 估算功率 MOSFET 的漏电流 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 11月 7日
应用手册 半导体和 IC 封装热指标 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2024年 4月 24日
应用手册 QFN 和 SON PCB 连接 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2024年 1月 5日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 瞬态热阻抗曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 19日
应用简报 成功并联功率 MOSFET 的技巧 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 6日
应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 3月 15日

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPS25830Q1EVM-040 — TPS25830-Q1 具有电缆补偿和电流限制的 USB Type-C® 和 BC1.2 充电端口控制器评估模块

TPS25830Q1EVM-040 是适用于 USB Type-C® 和 BC1.2 5V、3.5A 输出和 36V 输入同步降压的评估模块 (EVM)，具有电缆补偿功能。该 EVM 具有电源端子块、USB Type-A 和 USB Type-C 连接器，可进行器件充电和数据通信。电缆补偿、电流限制和直流/直流频率可通过该 EVM 上的电阻器进行调节。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

TPS25831Q1EVM-062 — 具有电缆补偿和限流功能的 TPS25831-Q1 USB Type-C 和 BC1.2 同步降压 EVM

入门须知：
第 1 步：订购硬件
步骤 2：下载 EVM 用户指南

第 3 步：下载设计指南正文及应用手册
第 4 步：下载最新参考设计


TPS25831Q1EVM-062 是适用于 USB Type-C 和 BC1.2 5V 3.5A 输出、36V 输入同步降压器件的评估模块 (...)
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
仿真模型

CSD85312Q3E Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM095B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
下载
参考设计

PMP40725 — CISPR 25 5 类 400kHz 额定 12W 汽车级 USB A 型 充电器参考设计

此参考设计对 EMI 进行了优化，适用于具有 12W 单输出的汽车类 USB Type-A 充电器。TPS25846-Q1 可用作直流/直流稳压器和端口控制器。开关频率为 400kHz。前端滤波器和 PCB 布局经设计优化，符合严格的 CISPR 25 5 类传导电磁干扰 (EMI) 标准。此参考设计已通过 CISPR 25 5 类传导 EMI 标准测试，可缩短设计时间。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP40544 — 符合 3m USB-IF 近端测试要求的汽车 USB Type-A 充电器参考设计

此参考设计适用于汽车类 USB Type-A 充电器，符合 3 米 USB-IF 近端测试要求。TPS25840-Q1 用作直流/直流稳压器和数据开关，而 TUSB217-Q1 用作提高信号质量的高速信号调节器。该解决方案在 12W 输出下的效率为 93.3%，因此，温升只有 20.5°C。借助可编程的电缆压降补偿，可在重负载条件下以合适的电流和电压为便携式设备充电。此设计使用长达 3 米的线缆，并通过了 USB 2.0 高速近端眼图合规性测试。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSON (DPA) 8 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频