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CSD16325Q5

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25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.2 mOhm

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产品详细信息

参数

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 2.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 200 QG typ (nC) 18 QGD typ (nC) 3.5 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 33 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

VSON-CLIP (DQH) 8 30 mm² 5 x 6 open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
      Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Synchronous FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

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描述

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
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SLLM101A.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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Non-sync boost 12V@1A
PMP5575 — High current, up to 30Amax core power supply to power DSPs, ASICs or similar out of a 5V bus, single phase w/ TPS40303
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CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
VSON-CLIP (DQH) 8 了解详情

订购与质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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