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CSD17573Q5B 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.2 IDM - pulsed drain current (max) (A) 200 QG (typ) (nC) 18 QGD (typ) (nC) 3.5 QGS (typ) (nC) 6.6 VGS (V) 10 VGSTH (typ) (V) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 33 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.2 IDM - pulsed drain current (max) (A) 200 QG (typ) (nC) 18 QGD (typ) (nC) 3.5 QGS (typ) (nC) 6.6 VGS (V) 10 VGSTH (typ) (V) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 33 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSON-CLIP (DQH) 8 3E+1 mm² 6 x 5
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
      Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Synchronous FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
      Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Synchronous FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

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技术文档

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类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
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应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 下载英文版本 2015年 5月 12日

设计和开发

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仿真模型

CSD16325Q5 TINA-TI Spice Model

SLIM144.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD16325Q5 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLLM101B.ZIP (8 KB) - PSpice Model
计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
参考设计

PMP20490 — 采用堆叠式 TPS546C20A PMBus DCDC 转换器的高密度、12V 输入、1.2V 输出、60A POL 参考设计

TPS546C23 可为高电流直流/直流应用提供适用于控制和同步功率级的单个 IC,并允许通过采用两个相同部件使电流容量加倍。多相还有助于消除输出纹波以及在给定开关频率下进行有效的更高带宽控制。PMP20490 展示了一款带有电感器(置于控制 IC 顶部以实现更小封装)和两个板载动态负载的高电流两相应用。测试报告显示了采用两个电感器源时的性能和效率。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-00381 — 具有高侧/低侧驱动器的 360W 相移全桥谐振 LLC

该电源采用全桥谐振 LLC,在斜升、轻载、低输出电压时进行相移。这种运行模式可以替代 LLC 中的 PWM 运行模式,从而在轻载应用中显著提高效率。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP7208 — 用于 TCI6636K2H/6638K2H 的 5V 输入 33W 通用 4 位 VID I/F AVS 电源

该参考设计旨在为 Kepler DSP(如 C6638)提供 AVS 内核电源。C66x 系列使用 SmartReflex 技术使 DSP 能够控制其电源电压。为满足这一需求,该设计将 TPS40303 同步 PWM 降压控制器与外部 CSD16325Q5 NexFET 和低成本的四晶体管电路结合起来,从而满足内核电源 AVS 需求,生成其所需的 VID。该解决方案可为需要通过 4 位 VID 编程实施 AVS 的处理器提供通用 4 位 VID 电源。

 

测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
VSON-CLIP (DQH) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频