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产品详细信息

参数

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 2.2 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 200 QG typ (nC) 18 QGD typ (nC) 3.5 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID, package limited (A) 100 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

封装|引脚|尺寸

VSON-CLIP (DQH) 8 30 mm² 5 x 6 open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
      Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Synchronous FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

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描述

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

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CSD17573Q5B 正在供货 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm This product has lower resistance and a lower price.

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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLIM144.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型 下载
SLLM101A.ZIP (8 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
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特性
  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗
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SPLR002.ZIP (734 KB)

参考设计

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采用堆叠式 TPS546C20A PMBus DCDC 转换器的高密度、12V 输入、1.2V 输出、60A POL 参考设计
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document-generic 原理图 document-generic 用户指南
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36Vdc-72Vdc 输入、1.2V/25A 有源钳位正向
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Non-sync boost 12V@1A
PMP5575 — High current, up to 30Amax core power supply to power DSPs, ASICs or similar out of a 5V bus, single phase w/ TPS40303
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CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
VSON-CLIP (DQH) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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