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MOSFET
N 沟道 MOSFET

CSD16323Q3

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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.5 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 112 QG typ (nC) 6.2 QGD typ (nC) 1.1 QGS typ (nC) 1.8 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 21 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.5 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 112 QG typ (nC) 6.2 QGD typ (nC) 1.1 QGS typ (nC) 1.8 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 21 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control or Synchronous FET Applications

All other trademarks are the property of their respective owners
  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
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  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
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    • Optimized for Control or Synchronous FET Applications

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This 25-V, 3.8-mΩ, 3.3 × 3.3-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5-V gate drive applications.

This 25-V, 3.8-mΩ, 3.3 × 3.3-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5-V gate drive applications.
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设计和开发

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支持软件

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
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仿真模型

CSD16323Q3 TINA-TI Spice Model

SLIM044.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
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CSD16323Q3 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

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计算工具

MOSFET-LOSS-CALC — 用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。
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计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — 适用于电机驱动应用的 MOSFET 功率损耗计算器

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
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Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

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SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
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参考设计

PMP40441 — 适用于 USB PD PPS 的多芯降压/升压电池充电器系统参考设计

此参考设计适用于 USB 电力输送 (PD) 电池充电应用，例如移动电源或其他便携式设备。它采用降压/升压充电器 BQ25713 为 USB PD 充电实现广泛的输入和输出范围。USB PD 控制器卡 (PMP40442) 可以将充电器配置为通过同一个电源路径进行充电或 OTG。PMP40441/2 与 PD2.0 兼容。它还展示了 BQ25713 能够满足 PD 的可编程电源 (PPS) 标准。在 OTG 方向（也就是将移动电源用作电源），USB 端口可输出 5/9/15/20V 的固定 USB PD 电压以及 3.3V 至 5.9/11/21V 的 USB PD PPS 电压，阶跃小于 (...)
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参考设计

TIDA-01182 — 具有自动音频控制 1S1P BMS 的便携式音频放大器参考设计

高性能 10W（每个扬声器 5W）便携式音频放大器，包括为 D 类音频放大器中的便携式音频放大器实施 BMS（电池管理解决方案）所需的一切（包括用于 1S1P 18650 2400mAh 锂电池的充电器、电量监测计和保护装置）。通过使用高效电源稳压器、D 类放大器和适当的电池管理，获得更长的运行时间。
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参考设计

PMP9779 — 适用于 TPS61088 升压转换器的输出短路保护参考设计

此参考设计为 TPS61088 升压转换器提供了输出短路保护解决方案。该功能通过过流保护 (OCP) 电路实现。当输出接地短路或负载电流高于特定值时，OCP 电路将会断开 TPS61088 与相应负载的连接。此解决方案仅需要一个额外的低成本比较器、一个传感电阻器和一个小型 N-MOSFET。通过增加这一小部分电路，即可保护 TPS61088 在输出短路和过载情况下免受损害。
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参考设计

PMP40001 — 具有 2~3 节电池输入的 USB Type-C PD DFP 5/12/20V3A 输出移动电源参考设计

PMP40001 是功能齐全的 Type C PD DFP 参考设计。借助 Type C 源控制器 (TPS25740) 的纯模拟配置，可轻松实现 PD 协商。该设计支持 3 组输出电压选项，包括 5V/12V/20V。  最大输出电流为 3A，可在输出电压为 20V 时提供最高 60W 的输出功率。通过采用高性能降压/升压控制器 LM5175，此设计可在满负载条件下实现 96% 的总效率，这也意味着热性能良好。有效输入电压范围是 6V 到 13.5V，可与 2S 和 3S 锂电池组兼容。
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参考设计

PMP9382 — 面向汽车应用（紧急呼叫）的高效低输入电压 30W 升压转换器参考设计

PMP9382 是一种利用汽车级 LM3478Q-Q1 控制器的低输入电压升压转换器。此设计在二极管压降高于最低输入电压 2.97V (~3.4V) 并且最高不超过 6V 输入电压时启动。一旦启用电源且存在输出，此设计将在最低 2V 的低输入电压下工作，可在电流为 3A 时提供 10V 输出电压。开关频率设置为 400 kHz。
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参考设计

PMP9512 — 参考设计 - SEPIC 转换器实现低输入电压至 3.3V/3.25A 的转换

此款耦合电感器 3.3V/3.25A SEPIC 转换器在紧凑的空间中提供高电流。此电路经过优化，接受 3.0V - 3.6V 的输入电压。此外，它还适用于电池应用。
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包含信息：
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