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产品详细信息

参数

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.5 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 112 QG typ (nC) 6.2 QGD typ (nC) 1.1 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.1 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 21 ID, package limited (A) 60 Logic level Yes open-in-new 查找其它 N沟道MOSFET晶体管

特性

  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control or Synchronous FET Applications

All other trademarks are the property of their respective owners

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描述

This 25-V, 3.8-mΩ, 3.3 × 3.3-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5-V gate drive applications.

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设计与开发

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软件开发

支持软件 下载
SLPC019.ZIP (338 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLIM044.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型 下载
SLIM299A.ZIP (8 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
用于 MOSFET 产品的功率损耗计算工具
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特性
  • 计算 TI MOSFET 的功率损耗
计算工具 下载
SPLR002.ZIP (734 KB)

参考设计

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CAD/CAE 符号

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(DQG) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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